存储器及扩展.ppt

1 程序存储器及扩展 1.1 常用程序存储器芯片 1.2 程序存储器的扩展 1.3 程序存储器扩展实例 程序存储器 采用只读存储器，非易失性。 （1）掩膜ROM 在制造过程中编程,只适合于大批量生产。 （2）可编程ROM（PROM） 用独立的编程器写入，只能写入一次。 （3）EPROM 电信号编程，紫外线擦除的只读存储器芯片。 （4）E2PROM（ EEPROM） 电信号编程，电擦除。读写操作与RAM相似，写入速度稍慢。断电后能够保存信息。 （5）Flash ROM 又称闪烁存储器，简称闪存。电改写，电擦除，读写速度快（70ns），读写次数多（1万次）。 1.1 常用程序存储器芯片 单片机外部扩展常用程序存储器芯片为EPROM，其掉电后信息不会丢失，且只有在紫外线的照射下，存储器的单元信息才可擦除。 用作扩展的EPROM主要是27系列，如2716、2732、2764、27128、27256等，其中高位数字27表示该芯片是EPROM，低位数字表明存储容量，如2716表示16K个存储位，亦即字节容量为2K的EPROM。 常用的还有EEPROM ，即28系列，如2816/2817、2864等，型号含义同上。 1.1 常用程序存储器芯片 常用EPROM芯片管脚和封装如下图所示。EPROM除2716外均为28线双列直插式封装，各引脚定义如下。 A0～Ai：地址输入线，i=12～15。 D0～Di：三态数据总线，读或编程校验时为数据输出线，编程时为数据输入线。其余时间呈高阻状态。 PGM：编程脉冲输入线。 OE：读出选通线，低电平有效。 CE：片选线，低电平有效。 VPP：编程电源线，其值因芯片及制作厂商而异。 VCC：电源线，接+5V电源。 GND：接地。 1.1 常用程序存储器芯片 EPROM的操作方式主要有以下几种。 编程方式：把程序代码(目标文件)固化到EPROM中。 编程校验方式：读出EPROM中的内容，校验编程操作的正确性。 读出方式：CPU从EPROM中读出代码。 维持方式：数据端呈高阻态。 编程禁止方式：用于多片EPROM并行编程。 1.2 程序存储器的扩展 一、扩展总线 74LS373是有输出三态门的电平允许8D锁存器。当G（使能端）为高电平时，锁存器的数据输出端Q的状态与数据输入端D相同（透明的）。当G端从高电平返回到低电平时（下降沿后），输入端的数据就被锁存在锁存器中，数据输入端D的变化不再影响Q端输出。 二、片外ROM操作时序 进行ROM的扩展，其扩展方法较为简单容易，这是由单片机的优良扩展性能决定的。单片机的地址总线为16位，扩展的片外ROM的最大容量为64KB，地址为0000H～FFFFH。扩展的片外RAM的最大容量也为64KB，地址为0000H～FFFFH。 1.3 程序存储器扩展实例 【例1】 8031扩展一片2764 EPROM(8KB)。 解：P2口的P2.0～P2.4与EPROM的高5位地址线及片选CE连接；P0口经地址锁存器输出的地址线与EPROM的低8位地址线相连，同时P0口又与EPROM的数据线相连；单片机ALE连接锁存器的锁存控制端；PSEN接EPROM的输出允许OE；8031的内、外存储器选择端EA接地。 扩展单片EPROM，其片选CE直接接地即可。 只要系统执行读外部程序存储器的指令， 该EPROM就处于选通操作。P2口的P2.5～P2.7 未用，所以它们的状态与2764的寻址无关； P2.5～P2.7有八种状态，2764的寻址范围 对应有八个映像区。 1.3 程序存储器扩展实例 2 数据存储器及其扩展 2.1 常用数据存储器芯片 2.2 数据存储器的扩展 2.3 数据存储器扩展实例 2.1 常用数据存储器芯片 数据存储器用于存储现场采集的原始数据、运算结果等。外部数据存储器应能随机读/写，通常由半导体静态随机读/写存储器RAM组成。EEPROM芯片有时也会用作外部数据存储器。 静态RAM主要有读出、写入、维持三种工作方式。 常用的静态RAM(SRAM)电路有61系列的6116以及62系列的6264、62128、62256等。 2.1 常用数据存储器芯片 各引脚定义如下: A0～Ai：地址输入线，i=10(6116)， 12(6264)， 13(62128)，14(62256)。 D0～Di：双向三态数据线(6116为I/O0～I/O7)。 CE：片选信号输入端，低电平有效。 6264的26脚(CS1)为高电平， 且CE为低电平时才选中该