多晶硅片的制绒剂及利用该制绒剂的制绒方法.docVIP

说 明 书 摘 要 一种多晶硅片的制绒剂，其特征在于包括如下组分及其体积配比组成：硝酸 40%~55%；氢氟酸8%~12%；添加剂0.1%~0.5%；水51.9%~32.5%；添加剂包括由如下组分及其重量配比组成：阴离子阴离子阴离子十二烷基苯磺酸钠月桂醇硫酸钠硬脂酸阴离子多晶制绒硝酸和氢氟酸混合液中，加入添加剂，循环分钟使得添加剂和混合液充分混合扩散指定绒面一侧作为扩散面，要求背靠背扩散，薄层电阻在1580Ω/?之间，颜色呈咖啡色，且颜色均匀；表面清洁，无染色湿法刻蚀控制边缘电阻在30kΩ以上减反射膜在扩散面上沉积SiNx薄膜，厚度控制在5~85nm，颜色分布均匀为蓝色丝印烧结用丝网印刷机先在背面印银铝电极烘干，再印铝浆烘干，最后在SiNx薄膜上印银电极烘干烧结1671—4776(2009)10-0627—05)。醋酸虽然能减缓反应速率，但效果还不是很显著，不能达到预期，因此在开发一种腐蚀速率可控能满足实际生产需要的制绒剂，变得迫在眉睫。 发明内容 本发明所要解决的技术问题是针对上述的技术现状而提供一种能有效减缓腐蚀速率的多晶硅片的制绒剂。 本发明所要解决的又一个技术问题是提供一种使用寿命较长的多晶硅片的制绒剂。 本发明所要解决的又一个技术问题是提供一种绒面均匀的制绒方法。 本发明解决上述技术问题所采用的技术方案为：一种多晶硅片的制绒剂，其特征在于包括如下组分及其体积配比组成： 硝酸 40%~55%； 氢氟酸 8%~12%； 添加剂 0.1%~0.5%； 水 32.5%~51.9%； 前述的添加剂包括由如下组分及其重量配比组成： 阴离子阴离子十二烷基苯磺酸钠月桂醇硫酸钠硬脂酸阴离子多晶制绒硝酸和氢氟酸混合液中，加入添加剂，循环分钟使得添加剂和混合液充分混合扩散指定绒面一侧作为扩散面，要求背靠背扩散，薄层电阻在1580Ω/?之间，颜色呈咖啡色，且颜色均匀；表面清洁，无染色湿法刻蚀控制边缘电阻在30kΩ以上减反射膜在扩散面上沉积SiNx薄膜，厚度控制在5~85nm，颜色分布均匀为蓝色丝印烧结用丝网印刷机先在背面印银铝电极烘干，再印铝浆烘干，最后在SiNx薄膜上印银电极烘干烧结降低水的表面张力图5为实施例3制绒后多晶硅片显微照片。 图6为对比实施例3制绒后多晶硅片显微照片。 图7为实施例4制绒后多晶硅片显微照片。 图8为对比实施例4制绒后多晶硅片显微照片。 图9为实施例5制绒后多晶硅片显微照片。 图10为对比实施例5制绒后多晶硅片显微照片。 具体实施方式 以下结合附图实施例对本发明作进一步详细描述。 实施例1，取多晶硅片，置于Rena多晶链式制绒机中，添加制绒剂，其中，多晶硅片性质如下：P型，厚度在200微米，电阻率为1.5。制绒剂组分及其配比如下：十二烷基苯磺酸钠制绒机槽体容积为470L，，温度为℃。图为所得多晶硅片的显微照片。 对比实施例1，取多晶硅片，置于Rena多晶链式制绒机中，添加制绒剂，其中，多晶硅片性质如下：P型，厚度在200微米，电阻率为1.5。制绒剂组分及其配比如下：；制绒机槽体容积为470L，，温度为℃。图为所得多晶硅片的显微照片。 由图1和图2对比可知，绒面尺寸实施例2，取多晶硅片，置于Rena多晶链式制绒机中，添加制绒剂，其中，多晶硅片性质如下：P型，厚度在200微米，电阻率为1.5。制绒剂组分及其重量配比如下：十二烷基苯磺酸钠制绒机槽体容积为470L，，温度为℃。图为所得多晶硅片的显微照片。 对比实施例，取多晶硅片，置于Rena多晶链式制绒机中，添加制绒剂，其中，多晶硅片性质如下：P型，厚度在200微米，电阻率为1.5。制绒剂组分及其重量配比如下：；制绒机槽体容积为470L，，温度为℃。图为所得多晶硅片的显微照片。 由图和图对比可知，使用添加剂制绒后得到凹坑较为均匀，无明显绒丝，表面结构清晰，效果较好。而同等条件下正常制绒得到的绒丝较多，表面结构较为模糊，均匀性较差。实施例，取多晶硅片，置于Rena多晶链式制绒机中，添加制绒剂，其中，多晶硅片性质如下：P型，厚度在200微米，电阻率为1.5。制绒剂组分及其配比如下：硬脂酸12%；亚硝酸钠7%；水81%；制绒机槽体容积为470L，，温度为℃。图为所得多晶硅片的显微照片。 对比实施例，取多晶硅片，置于Rena多晶链式制绒机中，添加制绒剂，其中，多晶硅片性质如下：P型，厚度在200微米，电阻率为1.5。制绒剂组分及其配比如下：；制绒机槽体容积为470L，，温度为℃。图为所得多晶硅片的显微照片。 由图和图对比可知使用添加剂制绒后得到凹坑较为细小，正常制绒得到的绒面凹坑较为粗大。在去除损伤层的同时，保证小绒面至关重要。实施例，取多晶硅片，置于Rena多晶链式制绒机中，添加制绒剂，其中，多晶硅片性质如下：P型，