纳米晶ZnO薄膜的电化学沉积及其光电化学性能-中国空间科学技术.PDFVIP

纳米晶ZnO薄膜的电化学沉积及其光电化学性能-中国空间科学技术.PDF

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纳米晶ZnO薄膜的电化学沉积及其光电化学性能-中国空间科学技术

6 / 2008 10 ZnO Electrochemical Deposit ion of Nanoporous ZnO Films and T heir Photoelectrochemical Performance 1, 2 1 1 1 1, 2 , , , , ( 1 , 200050; 2 , 1000 9) 1, 2 1 1 1 1, 2 GAN Xiao-yan , LI Xiao-min , GAO Xiang-dong , YU We-i dong , ZHU GE Fu-w ei ( 1 Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China; 2 Graduate University of the Chinese Academy of Sciences, Beijing 1000 9, China) : Zn( NO ) , IT O ZnO/ 3 2 KOH 10~ 20nm ZnO XRD ZnO , EDS Zn O, 2 , 01 68V, 01 79 mA/ cm , 01 26% : ZnO; ; ; : O 8 : A : 1001- 381(2008) 10-006 -0 Abstract: Nanoporous ZnO films w ere fabricated on IT O substrate by a tw o-step solution approach, w hich involves the electrochemical deposition of nanoporous ZnO/ eosin Y hybrid films and subse- quently desorption treatment to remove eosin Y molecules. Nanoporous ZnO films w ith grain size of 10-20nm w ere obtained. T he X-ray diffraction pattern show ed that nanoporous ZnO film had a hexa- gonal w urtzite structure, and the EDS results exhibited that the film w as composed of Zn and O, and no other elements w as detected. The prototype dye sensitized solar cell device utilizing the nanoporous film as photoelectrode w as fabricated, exhibiting an open-circuit photovoltage of 01 68 V, a short-cir- 2 cuit photocurrent density of 0179 mA/ cm , and an overall conversation efficiency of 0126%

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