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2017-09-25 发布于湖北
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半导体物理与光电效应-0925

半导体与光电效应 2013-9-25 上节回顾半导体物理与光电效应波动力学理论量子力学简述能量量子化波粒二象性不确定原理能带理论能带半导体与光能级半导体与光上节回顾与半导体有关的几组名词本征半导体本征激发杂质半导体载流子 P型半导体 N型半导体 PN结内电场正偏反偏单向导电性击穿势垒电容扩散电容结电容禁带半导体与光与半导体有关的几组名词本征半导体本征激发杂质半导体载流子 P型半导体 N型半导体 PN结内电场正偏反偏单向导电性击穿势垒电容扩散电容结电容禁带半导体与光与半导体有关的几组名词势垒电容 Q dQ C 或C U dU 电压变化将引起电荷变化, 从而反映出电容效应而PN结两端加上电压, 结内就有电荷的变化 PN结具有电容效应 PN结的电容效应势垒电容C 和扩散电容C 两部分组成 B D 半导体与光与半导体有关的几组名词扩散电容扩散电容：扩散电容是PN结在正偏时, 多数载流子在扩散过程中引起电荷积累而产生的。 PN结正向偏置时，N区和P区形成一定的非平衡载流子的浓度分布。 P区积累了电子，即存贮了一定数量的负电荷；N区也积累了空穴，即存贮了一定数量的正电荷。外加正向电压增大外加正向电压减小扩散增强扩散减弱两个区域电荷堆积两个区域电荷量减少电容的充电电容的放电半导体与光与半导体有关的几组名词