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2018-06-07 发布于天津
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纳米尺度超低漏电esd电源钳位电路研究.pdf

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纳米尺度超低漏电esd电源钳位电路研究

网络出版地址：/kcms/doi/10.13209/j.0479-8023.2014.103.html 北京大学学报(自然科学版), 第 50 卷, 第 4 期, 2014 年 7 月 Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Pekinensis, Vol. 50, No. 4 (July 2014) doi: 10.13209/j.0479-8023.2014.103 纳米尺度超低漏电ESD 电源钳位电路研究 † 王源张雪琳曹健陆光易贾嵩张钢刚北京大学微电子学研究院 , 教育部微电子器件与电路重点实验室 , 北京 100871; † 通信作者 , E-mail: wangyuan@ 摘要提出一种新型超低漏电 ESD 电源钳位电路。该电路采用具有反馈回路的 ESD 瞬态检测电路, 能够减小 MOS 电容栅极–衬底之间电压差, 降低电路的泄漏电流, 抑制 ESD 泄放器件的亚阈值电流。65 nm CMOS 工艺仿真结果表明, 在电路正常上电时, 泄漏电流只有 24.13 nA, 比传统 ESD 电源钳位电路的 5.42 μA 降低两个数量级。关键词静电放电 ; 泄漏电流; 电源钳位电路; 亚阈值电流中图分类号 TP333 Novel Ultra-Low-Leakage ESD Power Clamp Circuit in Nanoscale Process † WANG Yuan , ZHANG Xuelin, CAO Jian, LU Guangyi, JIA Song, ZHANG Ganggang Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MOE), Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871; † Corresponding author, E-mail: wangyuan@ Abstract A novel electrostatic discharge (ESD) power clamp circuit with ultra-low leakage current is proposed. An ESD transient detective circuit with feedback loop is used to reduce the voltage between the bulk and gate of MOS capacitor, which results in a ultra-low leakage current performance of novel circuit. Verified by HSPICE simulation in 65 nm CMOS process, the standby leakage current of novel circuit is 24.13 nA, which is more than