品种结构运行条件电路功能封装-fujitsu.pdfVIP

NEW PRODUCTS 电路功能 图像1 外观 装备ECC(Error Correcting Code)电路 ・ 在下一代非易失性存储器中，积累 /LB，/UB切换功能(仅限于MB85R2002) ・ *1 了大量量产经验的FRAM 在发挥高速读 写动作、低耗电、强耐改写性和防篡改 封装 *2 性 特长的用途方面，需求增长势头正旺。 48引脚TSOP封装 ・ 本产品是采用形成非易失性存储 ▼ 器单元的强电介质工艺和 CMOS 工艺 表1 说明主要特性，图1是端子排 的2M位FRAM。它是为了满足更大存储 列图，图2是方块图。表2 说明工作模式， 容量的需求，在目前最大容量的1M位 图 3、图 4、图 5、图6说明读/写周期 FRAM(MB85R1001/MB85R1002)的量产技术 时间。 的基础上开发的。因为它和1M位采用 TSOP48封装: 相同封装，所以可以在同一个印制电路 外形12mm×12.4mm, 板上根据必要的存储容量，选择1M位 两脚中心距0.50mm 2 或 2M 位。作为具有 E PROM 和闪存无 在执行高速写入/读取动作时，可 10 法达到的100亿(10 )次强耐改写性和 实现由/OE端子进行读取和由/WE端子 150ns的高速写周期的非易失性存储器， 进行写入的模拟SRAM模式。 2 它将代替电池备份SRAM和E PROM。特 MB85R2002可通过数据总线控制端子 发挥FRAM的高速写入、强耐改写性 别是不需要用于保持数据的电池，所以 /LB、/UB进行上8位、下8位的字节访问。 的特长，在办公设备的事件数计算和每 能有效减少印制电路板的安装成本，保 与1M位产品采用相同的TSOP48封装。 个事件的各种参数和日志的保存等用 护环境。 品种结构 256K word×8位结构 ・MB85R2001 : 128K word×16位结构 ・MB85R2002 : 表1 主要特性 运行条件 品种名 MB85R2001 MB85R2002 电源电压:＋3.0V ＋3.6V ・ 〜