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2017-12-07 发布于浙江
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红外密集度光电立靶中放大电路的的设计.pdf

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红外密集度光电立靶中放大电路的的设计

- 10- 国外电子元器件2004 年第 12期 2004 年12 月红外密集度光电立靶中放大电路的设计韩峰, 刘群华, 蔡荣立 (西安工业学院光电测试技术研究所, 陕西西安710032) : 提出了种红外光电立靶测试系统中前置放大电路的设计方案该方案打破了传统设计中采用超大管或利用仪表放大器增益可编程性来获取所需放大倍数的方法, 选用低噪声运算放大器和仪表放大器组成电路同时简单论述了低噪声放大电路设计中的屏蔽和接地措施 : 密集度; 光电立靶; 前放; 干扰; 噪声 :TJ06 :A : 1006- 6977(2004) 12- 0010- 03 Desi n of Low Noise Pream lifier in Infrared Photoelectric Tar et g p g HAN Feng, LIU Qun_hua, AI Rong_li ( O toelectronic Test Institute, Xi an Institute o Technolo , Xi an 710032, China) p f gy Abstract:A desi n of ream lifier is brou htforward in testin s stem intensive de ree hotoelectric tar et. Inthe g p p g g y g p g desi n, conventional wa of usin su er diode andhi h ain of instrument am lifier are breaked throu h,the low g y g p g g p g noise amplifier and instrument amplifier are used, measures of shield and grounding are simply discussed. Keywords: Intensive degree; Photoelectric target; Preamplifier; Intervene; Noise , , , , , , , , 2 ( ) , , , , , 10mV, , , , , , , , , : , , , , , ,