横向结构参数对SiGeHBT小信号模型参量的影响-北京工业大学学报.PDFVIP

第42卷 第4期 北 京 工 业 大 学 学 报 Vol.42 No.4 2016年 4月 JOURNAL OF BEIJING UNIVERSITY OFTECHNOLOGY Apr. 2016 横向结构参数对 SiGe HBT小信号模型参量的影响 赵彦晓,张万荣,谢红云,黄摇 鑫,张良浩,金子超,付摇 强 (北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京摇 100124) 摘摇 要:为了分析了发射极条宽、条长、条数等横向结构参数对 SiGe HBT小信号模型参数的影响,通过Jazz 0郾35 滋mBiCMOSSiGeHBT 的Y参量,得出了在不同横向结构参数下SiGeHBT 的小信号模型参数. 结果表明:增加发射 极条宽、条长、条数时,小信号模型中的等效电阻值减小、等效电容增大、跨导也增大. 在此基础上,分析了SiGe HBT横向结构参数对合成的有源电感特性的影响. 在设计不同性能的有源电感时,所得结果对有源器件横向结构 参数的选取有一定的指导意义. 关键词:横向结构;Y参量;小信号模型参数;SiGe HBT 中图分类号:TN722郾3 文献标志码:A 文章编号:0254-0037(2016)04-0508-05 doi:10.11936/ bjutxb2015030012 Effects of Lateral Structure Parameters on Small Signal Model Parameters of SiGe HBTs ZHAO Yanxiao,ZHANG Wanrong,XIE Hongyun,HUANG Xin, ZHANG Lianghao,JIN Zichao,FU Qiang (College of Electronic Information and Control Engineering,Beijing University of Technology,Beijing 100124,China) Abstract:Theeffectsoflateralstructureparametersincludingemitterwidth,lengthandstripenumberon small signal model parameters of SiGe HBTswere analyzed. Parameters Yfor different sizesof Jazz0郾35 滋m BiCMOS SiGe HBT were obtained,and the parameters of small signal model were correspondingly calculated. Results show that as the emitter width,length and stripe number increase,the resistance in the model decreaseswhile the capacitance and transconductance increase. Moreover,the effect of SiGe HBTs lateral structure parameters on performance of the synthesized active inductor was analyzed. The results have a reference meaning for the selection of lateral structure parameters of active device used in synthesis of a active inductor. Key words:geometrical parameters;parameters Y;small signa