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自组装超薄膜修饰ta2o5介质膜及其特性研究preparationand
2012 年第70 卷 化 学 学 报 Vol. 70, 2012
第8 期, 961~967 ACTA CHIMICA SINICA No. 8, 961~967
·研究论文·
自组装超薄膜修饰Ta O 介质膜及其特性研究
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杨亚杰* 徐建华 蒋亚东 闻俊峰
( 电子薄膜与集成器件国家重点实验室 电子科技大学光电信息学院 成都 610054)
摘要 采用静电自组装方法在五氧化二钽(Ta O )介质氧化膜上制备了聚二烯丙基二甲基氯化铵(PDDA)/聚苯乙烯磺酸
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钠(PSS)和聚二烯丙基二甲基氯化铵/聚-3,4-乙烯二氧噻吩-聚苯乙烯磺酸钠(PEDOT-PSS)超薄膜. 研究了两种自组装超
薄膜在Ta O 介质氧化薄膜上的组装特性. 结果表明两种自组装膜能够稳定地组装于Ta O 介质膜表面, 并有效降低薄
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膜的表面粗糙度. 进一步研究了两种自组装超薄膜修饰的Ta O 电容结构的电性能. 结果表明静电自组装膜对Ta O 介
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质膜表面进行修饰后, 有效地隔离了介质氧化膜中的缺陷, 降低了电容的漏电流并提高耐电压能力; 研究还发现不同
厚度的超薄膜对 Ta2O5 电容结构的耐压特性有不同程度的影响, 较厚的薄膜可以更好地提高电容的耐压能力并降低漏
电流, 但会增加电容的等效串联电阻(ESR). 另外, 在相同薄膜层数的情况下, 聚合物电解质PEDOT-PSS 良好的导电性
能降低了复合超薄膜的电阻, 使得PDDA/PEDOT-PSS 修饰的电容结构ESR 值较低.
关键词 静电自组装; Ta O ; 耐压能力; 等效串联电阻; 漏电流
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Preparation and Characterization of Ta O Films Surface Modified by
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Electrostatic Self-assembly Ultrathin Films
Yang, Yajie* Xu, Jianhua Jiang, Yadong Wen, Junfeng
(State Key Lab of Electronic Thin Films Integrated Devices, School of Optoelect
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