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欧姆定律和二极管,三极管,MOST管知识讲解
歐姆定律及二極管,三極管,MOST管知識講解;歐姆定律;§歐姆定律;伏安特性;如上圖所示,在量測電阻時是由系統送出一個定電流源到待測物上,經由量測待測物兩端之電壓來計算出待測物之電阻值。我們令系統送出之定電流為I,待測物之電阻為RX,待測物上之電壓為VRX,而待測物之電阻值可以由以下之公式計算而得之。; ;2-terminal Resistance Measurement:;半导体器件;§ 半导体的基本知识 § PN 结及半导体二极管 § 特殊二极管 § 二极管测试实例 § 半导体三极管 § 场效应晶体管 § 三极管及场效应管测试实例;;本征半导体;本征半导体:完全纯净的、结构完整的半导体晶体。;硅和锗的共价键结构;共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中,称为束缚电子,常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子,因此本征半导体中的自由电子很少,所以本征半导体的导电能力很弱。;二、本征半导体的导电机??;+4;2.本征半导体的导电机理;温度越高,载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强,温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素,这是半导体的一大特点。;1.1.3 杂质半导体;一、N 型半导体;1、由施主原子提供的电子,浓度与施主原子相同。;二、P 型半导体;§1.2 PN结及半导体二极管;2.1.2 PN结的单向导电性;-;二、PN 结反向偏置;2.1.3 半导体二极管;§1.3 特殊二极管;1.3.2 光电二极管;1.3.3 发光二极管;二極管測試實例;三極管;§1.4 半导体三极管;1.4.2 电流放大原理;B;IB=IBE-ICBO?IBE;ICE与IBE之比称为电流放大倍数;B;输出特性三个区域的特点:;三、主要参数;2.集-基极反向截止电流ICBO;B;4.集电极最大电流ICM;§1.5 场效应晶体管;N;N;P;二、工作原理(以P沟道为例);P;P;P;P;;;1.5.2 绝缘栅场效应管:;二、MOS管的工作原理;P;UGS较小时,导电沟道相当于电阻将D-S连接起来,UGS越大此电阻越小。;P;P;a. 將射極(Emitter)接地並從AP送一定電流源5mA。b. 由VBE (GP) 輸入電壓。c. 測試B,C,E間的阻抗或壓降。;1.由測試機台的電壓源送電壓到FET G極, 2.量測FET的開關狀態。;THE END!
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