外延gan基薄膜表面晶体结构rheed图像研究 study of surface lattice transform of epitaxial gan-based films by using rheed.pdfVIP

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2017-08-18 发布于上海
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外延gan基薄膜表面晶体结构rheed图像研究 study of surface lattice transform of epitaxial gan-based films by using rheed.pdf

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外延gan基薄膜表面晶体结构rheed图像研究 study of surface lattice transform of epitaxial gan-based films by using rheed

封装测试技术 IC Package Test Technology T S 外延GaN基薄膜表面晶体结构RHEED图像研究郎佳红1 2 2 秦福文顾彪 (1.安徽工业大学电气信息学院安徽马鞍山 243002 2.大连理工大学三束材料改性国家重点实验室辽宁大连 116024 摘要论述了反射高能电子衍射 RHEED作为外延薄膜进行原位监测的一个重要手段以及RHEED 图像与外延薄膜的表面形貌的关系提出了以RHEED图像分析外延GaN基薄膜晶格结构的演变情况并从衬底 -AlO的等离子体清洗氮化进行了具体的分析和演算结论指出 RHEED不仅是进行外延薄 2 3 膜原位监测而且还可以作为分析外延薄膜晶体结构演变的一个有力手段关键词蓝宝石清洗氮化反射高能电子衍射中图分类号 TN307TN304.054文献标识码 A 文章编号 1003-353X200608-0579-04 1 2 2 LANG Jia-hongQIN Fu-wenGU Biao (1. 243002, China; 2. 116024,China) Abstract crystal lattice transformation of epitaxy film. Key wordssapphirecleaningnitridationRHEED 薄膜晶体质量好坏是个关键问题所以如何评 1 引言价GaN外延生长表面性质就显得非常的重要目宽带隙的族GaN基氮化物半导体是目前制备前生长层表面晶质分析方法很多其中包含反射蓝光到紫外光波段的发光二极管激光二极管等光高能电子衍射 RHEED RHEED是随着MBE 电器件的首选材料之一同时由于它具有电子漂移的发展而发展起来的它是研究样品表面结构的饱和速度高介电常数小导热性能好化学和有力工具是当今表面科学和原子级人工合成材物理性能稳定等特点也非常适合于制作高温高料工程中强有力的原位分析与监控手段 RHEED [1-2] [3-4] 频及大功率电子器件目前自然界没有天然可做样品表面动态观测进行晶体生长动力学的此类材料需要人工合成人工合成的GaN基过程研究还可进行表面原子结构的分析晶格常数测定并可通过衍射图样分析晶体缺陷以基金项目安徽省教育厅青年教师资助项目 2005jq1073对外延膜进行评价虽然RHEED条纹间距可以表 Aujust