外延用300 mm重掺b si衬底中热致微缺陷研究 investigation of thermally induced microdefects in 300 mm heavily boron doped si substrates used for epitaxy.pdfVIP

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2017-08-18 发布于上海
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外延用300 mm重掺b si衬底中热致微缺陷研究 investigation of thermally induced microdefects in 300 mm heavily boron doped si substrates used for epitaxy

技术专栏 Column Technology 外延用300mm重掺BSi衬底中热致微缺陷研究高朝阳1，周旗钢1’2，戴小林1，崔彬1，韩海建1 (1。有研半导体材料股份有限公司，北京100088；2。北京有色金属研究总院半导体材料国家工程研究中心，北京100088；) h+ 摘要：研究了重掺B对300inln直拉si衬底中热致微缺陷的影响。通过800℃／4—16 l 100℃／16 成了高密度的热致微缺陷——体微缺陷(BMDs)；B浓度的不同对BMDs的形态也有重要影响，重掺Bsi片中出现杆状层错，随着B浓度的增加，层错密度增加，尺寸减小。研究表明，重掺B 对BMDs的促进作用主要归功于B原子促进了氧沉淀的异质形核并由于原子半径效应使得这些核心较容易长大，而晶体中初始氧含量不是重掺B促进氧沉淀的主要因素。关键词：外延；重掺硼硅村底；热致微缺陷；层错中图分类号：TN304．12文献标识码：A of InducedMicrodefectsin300inm InvestigationThermally Heavily Boron SiSubstratesUsedfor Doped Epitaxy Gao Xiaolinl，Cuibinl，Han Chaoyan91，ZhouQigan91，一，Dai Haijianl Sem／condusmrMater／a／s (1．G，饥m 100088，Ch／ua；2．Na矗onal cD．，Ltd．，Be／ring Engineering 如自眈r曲CenterSemiconductor 100088，Ch／na；) for Mazeriah，GRINM，Bdjing of boron on microdefectsin300In／nCzochralski Abstract：Theeffect induced heavilydopingthermally 100。C／16 (CZ)SisubstmtesWag oC／4—16h+1 low-hightemperature(soo h)two—step investigated．After isfoundthatthe of induced micro annealing．it densitythermallymieredefects舾well鹪BMDs(bulkdefects) in boron wafersismuch thanthatinconventionalwafers．In of heavilydoped higher addition，themorphology