外延层剥离技术(elo)制备gaas薄膜太阳电池 gaas thin film solar cells prepared by epitaxial lift-off.pdfVIP

许 军，刘海港，王 帅，涵 伟，孙 强 (中国电子科技集团公司第十八研究所，天津300381) 摘要：通过外延屡剥嵩技术获得GaAs薄膜太阳电池样品，实验对比了正向和反向外延缩掏方法。解释了现有技术条 件下，采用新颖的菠向外延续构制备GaAs薄膜太阳电池的原因。对样品进行了光电转换性能测试。并对实验缡渠进 行7键论。 关键诵：MOCVD披术；外延展刹离技术；掩模工艺 中图分类号：TM914．4 文献标识码：A 文章编号：1002—087 X(2008)01—0033—02 thinfilmsolarcells lift—off GaAs preparedbyepitaxial XU Jun，LIU Shuai，GAOWei，SUN Hal—gang，WANG Qiang InstituteofPower ≤Tianjin Soul℃es,弧a趣浊300381，C,hhla) Abstract：TheofGaAsthinf．|msolarcellwas lift-off．Two structures。oneis sample preparedbyepitaxial epi-layer fronttheotheris reasonof novelreverse structureto GaAsthin reverse，were epi-layer compared。Theadopting get filmsolarcellsunderthe conditionwas ofthe photoelectricitypeflormance presenttechnology explained．Finally，the wasmeasuredandsomediscussionsontheresultwere sample given． words：MOCVD lift-off；mask Key technology；epitaxialtechnique GaAs太阳电池因其光电转效率高、抗辐照性强、温度特性 为外延层的解离材料有望获得柔性薄膜外延层。图1描述了 好等诸多优点，在空闷应用中正爨益取代si材料太阳电洮。 选撂性腐蚀方法。 中莺电子辩技集团公司第卡八研究所采矮MOCVD技术大 本文阐述了采矮MOCVD法裁备带有篱蓠层的的 规模生产的GaAs／Ge单结太阳电池批量生产舆有19％以上GaAs／Ge太阳电池，并通过外延层剥离工艺获得了柔性外延 层，完成后续器件工艺，并对样品进行了测试分析。 的平均光电转换效率；(A1)InGaPJ(轴)GaAs／Ge三结太阳电池 也开始大栽模装备鸯莛天器，乎臻竞魍转换效率越遵26。8％。为 了降低高昂的发射费用，作为空间应用的太阳电池要求比功 率应尽可能高，这就是目前各国竟相开发空间用薄膜太阳电 泡酶重要派送。瑟鍪薄貘太疆电港将成势下一{弋空嚣建太粥 电池[”。 我们知道，GaAs材料具有陡峭的吸收系数曲线，可以在 几个激米之痰就籍太鞭光基本吸收，如果我们毙获撂吸收光