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利用电子束光刻制备晶面依赖的硅纳米结构 fabrication of silicon crystal-facet-dependent nanostructures by electron-beam lithography
第29卷第6期 半 导 体 学 报 v01．29No．6
2008年6月 JOURNALOFSEMICONDUCTORS June．2008
FabricationofSilicon
Crystal-Facet-Dependent
Electron‘Beam
by Lithography+
and Fuhua
YangXiang，HanWcihua+，WangYing，Zhang
YangYang
(ResearchCenter Semiconductor
of
Engineeringlor IntegratedTechnology，InstituteofSemiconductors，
Chinese of 100083，China)
AcademySciences，Belting
Abstract：Silicon nanostructureshavebeen fabricatedona(100)．orientedsilicon．on．
crystal-facet·dependent successfully
insulatorwafer electron—beam andthesilicon wet takesad．
using lithography anisotropic
etchingtechnique．Thistechnique
ofthe differencein fordifferent inalkalinesolution．The
vantagelarge etchingproperties crystallographicplanes mini．
mumsizeofthe for
trapezoidaltop thoseSinanostructurescanbereducedtolessthan electron
10nm．Scanningmicroscopy
(SEM)andatomicforce indicatethattheetchednanostructureshave
microscopy(ARM)observations controllable
shapes
andsmoothsurfaces．
Keywords：silicon wet
nanostructure；anisotropic
etching；electron-beamlithography
EEACC：2550G
CLC D
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