利用arf准分子激光退火获得小锗量子点的研究 smaller ge quantum dots obtained by arf excimer laser annealing.pdfVIP

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2017-08-12 发布于上海
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利用arf准分子激光退火获得小锗量子点的研究 smaller ge quantum dots obtained by arf excimer laser annealing.pdf

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利用arf准分子激光退火获得小锗量子点的研究 smaller ge quantum dots obtained by arf excimer laser annealing

第29卷第4期半导体学报 V01．29No．4 OFSEMICONDUCTORS 2008年4月 JOURNAL Apr．，2008 SmallerGe DotsObtainedArFExcimerLaser Quantum by Annealing’ Yu ZengYugang’，HanGenquan，andJinzhong Semiconductors，Chinese 100083，China) (State on of AcademyofSciences，Beijing KeyLaboratoryIntegratedOptoelectronic$，Institute withaself·assembled Abstract：Geself-assembleddots(SAQDs)are UHV／CVDepitaxysystem．Then， quantum grown diffu。 areannealedArF laser．Intheultra·shotlaser duration，～20ns，bulk the Ge dots excimer pulse as．grownquantum by diffusion inalaserinduced dot(LIQD)．Thediameterofthe sionisforbidden，andsurface only OCCURS，resulting quantum cm～． the dotandthe hasa ofabout6×1010 LIQDis20～25nmwhichismuchsmallerthan LIQD density as-grown higher is AFM． Thesurface evolution morphology investigatedby excimerlaser words：Ge dot；ArF Key quantum annealing；LIQD；AFM EEACC：4250 Article CLCnumber：TN3Documentcode：A ID：0253—4177(2008)04-0641-04