利用dpvbi的空穴阻挡和发光特性而制作的白光器件 white light devices fabricated by using dpvbi hole block and luminous characters.pdfVIP

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2017-08-12 发布于上海
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利用dpvbi的空穴阻挡和发光特性而制作的白光器件 white light devices fabricated by using dpvbi hole block and luminous characters.pdf

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利用dpvbi的空穴阻挡和发光特性而制作的白光器件 white light devices fabricated by using dpvbi hole block and luminous characters

2006 年12 月第27 卷第6 期姜文龙等：利用DPVbi 的空穴阻挡和发光特性而制作的白光器件《半导体光电》光电器件利用DPVbi 的空穴阻挡和发光特性而制作的白光器件 1，2 1 1，2 1 1 1 2 姜文龙，丁桂英，王静，汪津，王立忠，韩强，刘式墉（1. 吉林师范大学信息技术学院，吉林四平 136000 ；2. 吉林大学集成光电子学国家重点联合实验室，吉林长春 130023 ）摘要：介绍了结构为：ITO/ m-MTDATA （40 nm ）/ NPb（5 nm ）/ DPVbi （10 ~ 12 nm ）/ Rubrene （0 . 5 nm ）/ DPVbi（20 ~ 18 nm ）/ AIg （50 nm ）/ LiF （0 . 5 nm ）/ AI 的白光器件。该器件采用了两个 DPVbi 层中间夹一个Rubrene 的薄层，这种结构充分利用了DPVbi 的空穴阻挡特性和发光特性，有力地平衡了来自于DPVbi 的蓝光、AIg 的绿光和Rubrene 的黄光，从而使器件发射性能较好的白光。当第一层的DPVbi 和第二层的DPVbi 的厚度分别是11 nm 和19 nm 时，其他层的厚度保持不变，该器件在15 V 电压下，最大亮度为11 290 cd/ m2 ，对应的效率为1. 7 1 cd/ A ，色坐标为（0 . 25 ，0 . 27 ），属于白光发射；在6 V 时，其最大效率为3. 18 cd/ A 。关键词：有机白光器件；空穴阻挡特性；DPVbi 中图分类号：TN383 文献标识码：A 文章编号：100 1 - 5868（2006 ）06 - 070 1 - 03 White Light Devices Fabricated by Using DPVbi Hole block and Luminous Characters JIANG Wen-Iong1，2 ，DING Gui-ying1 ，WANG Jing1，2 ， WANG Jin1 ，WANG Li-zhong1 ，HAN Oiang1 ，LIU Shi-yong2 （1. Department of Electronic Information and Engineering ，Jilin Normal University ，Siping 136000 ，CHN ； 2. State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics ，Jilin University ，Changchun 130023 ，CHN ） Abstract ： White Iight devices with structures of ITO/ m-MTDATA （40 nm ）/ NPb （5 nm ）/ DPVbi （10 ~ 12 nm ）/ Rubrene （0 . 5 nm ）/ DPVbi （20 ~ 18 nm ）/ AIg （50 nm ）/ LiF （0 . 5 nm ）/ AI have been introduced. The device uses two DPVbi Iayers to cIamp a Rubrene thin Iayer. Such structure takes fuII advantage of the DPVbi hoIe bIock and Iuminous characters ，so it keeps good baIance of the bIue Iight from D