快速评价半导体器件失效激活能的方法 rapid evaluation method of activation energy for semiconductor device.pdfVIP

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2017-08-12 发布于上海
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快速评价半导体器件失效激活能的方法 rapid evaluation method of activation energy for semiconductor device

封装测试技术 Package＆TestTechnology 陕速评价半导体器件失效激活能的方法郭春生，谢雪松，马卫东，李志国，程尧海 (北京工业大学电子信息与控制工程学院可靠性研究室，北京100022) 摘要：通过对序进应力加速寿命试验的研究，提出了一种快速评价半导体器件失效激活能的方法，建应力加速寿命试验，快速提取器件失效敏感参数^。。与所施加应力的关系，根据模型对器件退化过程中的失效机理进行研究、计算，从而确定其对应的失效激活能。关键词：激活能；加速寿命试验；快速评价中图分类号：TN406 文献标识码：A EValuationMethOdofActiVation Rapid Energy fbrSemiconductorDevice GUO Yao-hai Chun—sheng，XIEXue—song，MAWei—dong，LIZhi—guo，CHENG dndCoHtrol tRelinb{l{tyLnb．Coltegeo，ElectroHicI咖rmntion Engtneertng， l 占P巧ng【，nfVPrJf钞D厂Z0c矗刀口，Dgy，曰P耖f玎gO0022，C^f聍口) onthe of stressacceleratedlife eValuation test，a Abstract：Basingstudyprogressive rapid methodfbrelectronicdeVice’sactiVationis the modelisconstructed． energyproposed，andtheory A stressacceleratedlifetestofsilicontransistors3CGl20wascarriedoutunderthe progressive pnp conditionofrated and from170～345℃．Andthe of powercapabilitytemperatureramp relationship of is themodel． stresson andthe sensitiVe extracted samples degradation neetly using parameters^FE inthe actiVation Thefailuremechanisms ofthe degradation samples，correspondingenergy