快速热处理工艺下直拉单晶硅中铜、镍对氧沉淀的影响 impact of transition-metal contamination on oxygen precipitation in czochralski silicon under rapid thermal processing.pdfVIP

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2017-08-12 发布于上海
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快速热处理工艺下直拉单晶硅中铜、镍对氧沉淀的影响 impact of transition-metal contamination on oxygen precipitation in czochralski silicon under rapid thermal processing.pdf

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快速热处理工艺下直拉单晶硅中铜、镍对氧沉淀的影响 impact of transition-metal contamination on oxygen precipitation in czochralski silicon under rapid thermal processing

第27卷第3期半导体学报 V0127 No．3 2006年3月 CHINESEJOURNALOFSEMICONDUCTORS Mar．2006 ofTransition—MetalContaminationon Impact Oxygen inCzochralskiSilicon Under Thermal Rapid Processing‘ Wu Duanlin Deren’，Xi Oue D0ngdong，YangZhenqiang，and (StateKeyLaboratory 310027，China) ofSiliconMaterials，ZhejiangUniversity，Hangzhou effectsofthetransitionmetais andnickel Abstract：The on inCzochralskisilicon copper oxygenprecipitation nn- dera thermal are is that It foundinterstitialhasalmostnoeffecton rapid processinvestigated copper oxygenpre． enhances interstitialnickel cipitation，butcopperprecipitationmarkedly oxygenprecipitation．However，neither nornickel affects Thereasons fortheeffectsof andnickelcontamina． precipitationoxygenprecipitation copper tionOll arediscussedin of nucleation oxygenprecipitation lightoxygenprecipitationtheory Keywords：Si；oxygenprecipitation；Cu；Ni PACC：7280C；6170；6155F CLC number：TN304．1+2Documentcode：A ArtideID：0253．4177(2006)63．0413．06 tion contaminatesiliconwafersdur— metals，may 1 Introduction ing metals， high—temperatureanne