电工电子技术（第3版） 渠云田 chapter5新.pptVIP

第5章 晶体三极管及基本放大电路 5.21 晶体三极管 5.1.3. 三极管的开关特性 5.2 共发射极基本放大电路 1. 实现放大的条件 5.2.2 放大电路的静态分析 直流通路和交流通路 1. 用估算法确定静态值 2. 用图解法确定静态值 2) 由输出特性曲线确定ICQ和UCEQ 3) 静态工作点与非线性失真的关系 a. 饱和失真 b. 截止失真 结论： 结论： 结论： 2.微变等效电路法 5.3 静态工作点的稳定 1. 温度变化对静态工作点的影响 2. 稳定静态工作点的电路 （1）稳定Q点的原理 （1） 稳定Q点的原理 5.4 共集电极放大电路 共集电极放大电路(射极输出器)的特点： 5.5 放大电路的级间耦合与差动放大电路 5.5.1 阻容耦合放大电路 5.5.2 直接耦合放大电路 5.5.3 差动放大电路 (1）零点漂移的抑制 (2) 有信号输入时的工作情况 (2) 有信号输入时的工作情况 ③差动信号输入 5.6 功率放大电路 5.5.1 功率放大电路的概述 5.6.2 互补对称放大电路 3. 单电源OTL互补对称功率放大电路 4.4.3 集成功率放大器 2. “傻瓜”型集成功率放大电路 5.7 绝缘栅型场效应管 5.7.1 绝缘栅场效应管 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 耗尽型 3. 场效应管的主要参数 场效应管与晶体管的比较 电源 同向输入 反向输入 去耦 1. LM386——小功率通用型集成功率放大电路 5 1 8 4 6 3 2 7 UCC UOUT IN+ GAIN IN- GAIN BYPASS GND LM386符号图 输出 增益调节 增益调节地 地 (1)特点与主要参数: LM386是一种音频集成功率放大器，具有功耗低、增益可调整、电源电压范围大，外接元件少等优点。 其电路类型为OTL。主要参数有：电源电压范围：5~18V，静态电源电流：4mA，输入阻抗：50kΩ，输出功率：1W（UCC=16V，RL=32Ω），电压增益：26~46dB，带宽：300kHz总谐波失真：0.2%。 (2) LM386应用 1. C1为输出电容，引脚1和8开路，所以增益26dB，即放大倍数是20倍，利用RW可以调节扬声器的量。R和 C1组成的串联网络用于进行相位补偿。 +u - C2 + 250μF C1 0.05μF R1 10Ω RW 10kΩ ui UCC LM386N4(8) 5 1 8 4 6 3 2 7 UCC UOUT IN+ GAIN IN- GAIN BYPASS 图5-31 LM386的最少元件用法 GND 2. LM386的最大增益用法，引脚1和8交流通路短路，放大倍数为200倍。C5是电源去耦电容，该电容可以去掉电源的高频成分。C4是旁路电容，由于放大倍数为200倍，所以当UCC=16V、RL=32Ω、Pom=1W时，输入电压的有效值为28.3mV。 C5 0.1μF C3 + 10μF C4 + 10μF + u0 - C2 + 250μF C1 0.05μF R1 10Ω RW 10KΩ ui UCC LM386N4(8) 5 1 8 4 6 3 2 7 UCC UOUT IN+ GAIN IN- GAIN BYPASS 图5-32 LM386的最大增益用法 GND 傻瓜1006 1 2 3 4 5 470μF 10μF 12V 8Ω RP 50kΩ 1006组成功率放大电路 场效应晶体管是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，即是电压控制元件。它的输出电流决定于输入电压的大小，基本上不需要信号源提供电流，所以它的输入电阻高，且温度稳定性好。 结型场效应管 按结构不同场效应管有两种: 绝缘栅型场效应管 本节仅介绍绝缘栅型场效应管 按工作状态可分为：增强型和耗尽型两类 每类又有N沟道和P沟道之分 漏极D 栅极和其它电极及硅片之间是绝缘的，称绝缘栅型场效应管。 金属电极 (1) N沟道增强型管的结构 栅极G 源极S 1. 增强型绝缘栅场效应管 SiO2绝缘层 P型硅衬底 高掺杂N区 G S D 符号： 由于栅极是绝缘的，栅极电流几乎为零，输入电阻很高，最高可达1014? 。 漏极D 金属电极 栅极G 源极S SiO2绝缘层 P型硅衬底 高掺杂N区 由于金属栅极和半导体之间的绝缘层目前常用二