电阻式非挥发性8TSRAM之忆阻器相关错误模型化、.PDFVIP

電阻式非揮發性8T SRAM之憶阻器相關錯誤模型化、 測試與診斷 電阻式非揮發性8T SRAM 之憶阻器相關錯誤模型 Modeling, Testing, and Diagnosis of Memristor-Related Faults in 化、測試與診斷 Resistive Nonvolatile-8T SRAMs Modeling, Testing, and Diagnosis of Memristor -Related Faults in Resistive Nonvolatile -8T SRAMs 李昱霆 陳詠孝 李進福 吳冠德 駱致彥 蒯定明 周永發 李昱霆 陳詠孝 李進福 吳冠德 駱致彥 蒯定明 周永發 Yu-Ting Li, Yong-Xiao Chen, Jin-Fu Li, Kuan-Te Wu, Chih-Yen Lo, Ding-Ming Kwai, Yung-Fa Chou Yu-Ting Li, Yong-Xiao Chen, Jin-Fu Li, Kuan-Te Wu, Chih-Yen Lo, Ding-Ming Kwai, Yung-Fa Chou 中文摘要 電阻式非揮發性八電晶體靜態隨機存取記憶體已經被提出用以減輕靜態功率、電源關閉時保 留資料，且提供快速開機的速度。在本文中，我們定義數個針對非揮發性八電晶體靜態隨機存取 記憶體的錯誤模型化，其中包含新的憶阻器相關錯誤模型 。另外提出了一類行軍式測試演算法可 涵蓋簡單的靜態隨機存取記憶體的錯誤與憶阻器相關的錯誤。在16kb之待測記憶體下，所提出的 類行軍式測試演算法與現有的方法相比雖然需要25.9% 的額外測試時間，但在這些探討的錯誤模 型下可提供100%的測試涵蓋率。另外，我們亦提出類行軍式診斷測試，以區分非揮發性八電晶 體靜態隨機存取記憶體中憶阻器相關的錯誤。 Abstract Resistive nonvolatile-8T (Rnv8T) static random access memory (SRAM) has been proposed to alleviate static power and preserve data in power-down mode and provide fast power-on speed. In this paper, we define several faults for the Rnv8T SRAM including new memristor-related fault models . Also, a March-like test algorithm which can cover simple SRAM faults and defined memristor-related faults are proposed. Considering 16kb memory under test, the proposed March-like test needs 25.9% test time overhead as compare with existing test algorithm, but provides 100% fault coverage on the targeted faults. Furthermore, we also propose a March -like diagnosis test for distinguishing memristor-related faults of Rnv8T SRAMs. 關鍵詞(Key Words) 憶阻器 (Memristor) 非揮發性靜態隨機存取記憶體 (Nonvolatile SRAM) 錯誤模型化 (Fault model) 測試演算法 (Test algorithm) 行軍式測試 (March test) １．前言 資料，然後將電源關閉 。需要使用時可開機回