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国内工业陶瓷文献题录及文摘(三十五) 示例：顺序号 文献题名(文种。中文略)·刊名，年，期 本栏报道的是我刊编辑部最近收集到的工业陶瓷文献。读者如需复印，可直接 与我刊编辑部联系，但请写明“顺序号、文献题名、刊名、年、卷、期”等内容。收费标 准：每篇18元(包括检索费、复印费及邮寄费)。 2009144蓝色荧光粉Sr：Al：SiO，：Ce¨的制备与发壁上的沉淀中znP2含量为40％，ZnGeP：含量为 光性能·硅酸盐学报。2009．“ 60％，zn和P的挥发导致合成的znGeP2多晶体 利用高温固相法在H：和N：还原气氛中制 中富含Ge。通过调节高温区的温度和降温速率， 备了ce3+掺杂的sr2Al：siO，蓝色荧光粉。通过x可有效地控制组分挥发，得到化学计量比的 射线衍射和扫描电子显微镜研究了荧光粉的组 ZnGeP’多晶材料。 成和表面形貌。探讨了Ce3+含量，锻烧温度等对 合成样品发光性能的影响。结果表明：所制得的 抗光折变性能·硅酸盐学报。2009．1l 样品为Sr：Al：SiO，晶粒；样品晶粒均匀，粒径为 采用顶部籽晶溶液法，生长了直径约15mm， 长度为10mm的近化学计量比钽酸锂(ne盯一咖． 2．O斗m左右。掺0．03(摩尔分数)Ce¨的样品， 在1400℃锻烧10h样品的发光强度最高。 量比钽酸锂(zn：sLT)晶体。生长的晶体无色透 Sr2A1：SiO，：Ce¨的激发光谱和发射光谱在350～ 420nm和450—650nm范围内分别呈现1个宽明，没有宏观缺陷。通过X射线粉末衍射法测试 峰；激发峰值位于362nm处，发射峰值位于晶体结构和晶格参数，zn：SLT晶体的晶格参数小 于未掺杂的SLT晶体。与同成分钽酸锂晶体相 478nm处。Sr：Al：siO，：Ce3+可被紫外光有效激 发，并且发出很强的蓝光，是一种很好的用于紫 比，sLT晶体的抗光损伤能力显著提高，zn：sLT 外光芯片基的白光发光二极管的荧光粉。 晶体的抗光损伤阈值大于500MV∥cm2。 2009145双温区合成法制备ZnGeP多晶材料·2009147高比表面磺酸基改性介孔材料SBA一16 硅酸盐学报，2009．11 的合成与催化活性·硅酸盐学报，2009．11 合成高纯及化学计量比的znGeP：多晶材料 用非离子型嵌段高分子表面活性剂聚氧乙 是生长高质量znGeP：单晶的关键。但由于P在烯醚一聚氧丙烯醚一聚氧乙烯醚 高温下蒸气压高，zn和P易挥发等因素，使合成 化学计量比znGeP：多晶材料存在一定困难。采基)乙基三甲氧基硅烷合成出一种新型的含有2 用双温区合成法制备了znGeP：多晶材料，用X 一(4一磺基苯基)乙基基团的sBA—16介孔材 射线粉末衍射分析了反应过程中在炉内温度梯 料。通过x射线衍射、核磁共振谱、扫描电镜、X 度区间生成的中间产物和在高温区末端石英管 射线荧光分析和气相色谱仪研究了样品的结构、 壁上的少量沉淀。结果表明：温度梯度区间生成 形貌、组成和催化反应后的产物。结果表明：合 的中间产物中znP：含量为95．45％(体积分数， 成的含有2一(4一磺基苯基)乙基基团的SBA一 下同)，zn，P：含量为4．55％。高温区末端石英管 16介孔材料样品是由大小均匀的微米级块状颗 42 万方数据 粒组成，属于体心立方(空间群为IIIl3m)结构，具 有立方笼形孔结构孔和孔连通性以及高的比表 子筛催化分解一氧化氮性能·硅酸盐学报， 面积(1028m2／g)。通过对乙酸和乙醇的催化反2009．11 应表明：样品作为催化剂具有较高活