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国内工业陶瓷文献题录及文摘 (四十三) 示例 ：顺序号 文献题名 (文种 ，中文略)·刊名，年，期 2011044BaMgl2-x】(PO4)2：xEu 橙红色荧光粉 光粉的晶化、改善其形貌、增强其发光强度。 的制备及发光性质 ·硅酸盐学报 ，2011，08 2011046掺铥氟化钇钡晶体的生长和光谱性能 · 采用高温固相法合成BaMg：一(PO)：xEu¨ 硅酸盐学报，2011。08 橙红色光致荧光粉。研究了激活剂 Eu¨掺量及 采用提拉法生长 了掺铥氟化钇钡 (Tm¨： 电荷补偿剂对其发光性质的影响。x射线衍射显 BaYF。，Tm：BYF)激光晶体。通过x射线衍射和 示样品为纯相 BaMg(PO)：晶体结构。光致光 光谱测试研究了晶体的相组成和光谱特征。结 谱表明，该样 品适于 uV —LED(ultraviolet— 果表明：晶体属于单斜晶系，空间群 C2／m，计算 lightemittingdiode)管芯 (350～410nm)激发，主 的晶胞参数：0=0．69928nm，b=1．05293nm，c= 发射为595nm(5D0~7F1)、614nm(Do一 F2)和 0．42751nm，JB：99．69。。在吸收光谱中，室温下 700nm(D。一 F)。研究结果表明，随着掺 Eu¨ 791nm处的吸收峰的半高宽为42nm，其吸收系数 和吸收截面分别为 4．56cm 和 8．09X10 量的增大，可 以促进 D。 F 跃迁而相对抑 cm 。在795nm波长激光激发下，Tm：BYF晶体 制 D。一 F跃迁。电荷补偿结果显示 ：掺入 Li、 在 1879．6nm附近有很强的荧光发射峰，半高宽 Na 、K 均能提高发射强度，Li对 595nm发射强 为79nm，发射截面为2．13×10 cm ，荧光寿命 度的提高效果最佳，而 K 对614nm强度的提高 为8．7ms，有利于Tm：BYF晶体实现 1．88m激 效果最佳；增大补偿离子半径可提高 D。一 F 电 光输出。 偶极跃迁几率。 2011047不同助熔剂体系下 GaPO，单 晶的生长 2011045硼酸加入量对 一HA10：：Eu¨红色荧光 与表征 (英文)·硅酸盐学报 ，2011，08 粉发光性能的影响 (英文) ·硅酸盐学报 ，2011。 在XCO 一MoO (X=Li，K)助熔剂体系 O8 下，采用顶部籽晶缓冷法生长出厘米级磷酸三镓 利用溶胶 一凝胶法合成 ^y—LiA10 ：Eu¨荧 (GaPO)晶体 。实验结果表 明：XCO 一MoO 光粉，用 x射线衍射、扫描电子显微镜和荧光光 助熔剂适合 GaPO 单 晶的生长。通过测量 谱仪研究了助熔剂 H3BO3对 一LiA102：Eu¨红 GaPO，单晶的紫外 一近红外光谱和中红外光谱 色荧光粉物相结构、发光性能、形貌的影响。结 研究了其基本光学性能。在K：CO 一MoO 助熔 果表明：合成的样品仍为四方晶系结构；其发光 剂体系下，生长的Ga。PO 晶体 (101)晶面的透过 强度随H3BO，加入量的增加先增强，后减弱，当 率达到89％。热学性能测试表明：GaPO 晶体 加入 HBO 量为 0．8％(摩尔分数)时，发光强度 具有高的温度稳定性 (在KCO 一MoO 助熔剂 最大；HBO，的加入利于 ^y—LiA10 ：Eu¨红色荧 体系下高达 1