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LCC6 封装Ⅰ型硅雪崩光电二极管 - 重庆航伟光电科技有限公司
Version 1.0 (Page 1 of 6)
LC C6 封装Ⅰ型硅雪崩光电二极管
型号:AA-SXXXXL 0X 00LCC6-X-A
特征及应用:
l 速响应、 增益、低结电容、低噪声
l 正照平面型芯片结构
l 200 m、500 m 光敏面可选
l 陶瓷贴片封装
l 内置滤波片(635nm 窄带)和白玻窗可选
l 激光测距、激光告警、激光雷达等应用
大额定值
参数名称 符号 小值 大值 单位
工作温度 TOP -20 85 ℃
储存温度 Tstg -55 125 ℃
工作电压 Vop 0.9 VBR V
焊接温度 Stemp 260 ℃
耗散功率 1 mW
正向电流 1 mA
光电性能 @Tc=22 3℃)
特性参数 符号 测试条件 最小 典型 最大 单位
光谱响应范围 λ — 400~1100 nm
光敏面直径 φ — 200 、500 μm
λ=800nm ,
响应度 Re 35 50 A/W
φe=1μW, M= 100
f= 1MHz,R =50Ω,
响应时间 tS L 0.3 ns
λ=800nm
0.02(1) 0.05(1) 0.4(1)
暗电流 ID M=100 nA
0.05(2) 0.1(2) 0.5(2)
(1)
1.5
总电容 Ctot M=100,f=1MHz 3(2) pF
最适宜的放大倍数 M 100
反向击穿电压 V I =10uA 80
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