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电荷俘获存储器数据保持特性第一性原理研究 蒋先伟 鲁世斌 代广珍 汪家余 金波 陈军宁 Researchofdataretentionforchargetrappingmemory by first-principles JiangXian-Wei LuShi-Bin DaiGuang-Zhen WangJia-Yu Jin Bo ChenJun-Ning 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,213102(2015) DOI: 10.7498/aps.64.213102 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.64.213102 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2015/V64/I21 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyoumaybeinterestedin 改善Si N 俘获层过擦现象的第一性原理研究 First-principlesstudyontheminimizationofover-erasephenomenon in Si N trappinglayer 物理学报.2015,64(13): 133102 /10.7498/aps.64.133102 ZnSe在外电场下的基态性质和激发特性研究 GroundstatepropertiesandexcitationpropertiesofZnSe under differentexternal electricfields 物理学报.2015,64(4): 043101 /10.7498/aps.64.043101 密度泛函理论研究氧空位对HfO 晶格结构和电学特性影响 EffectofoxygenvacancyonlatticeandelectronicpropertiesofHfO bymeansofdensityfunctiontheory study 物理学报.2015,64(3): 033101 /10.7498/aps.64.033101 氢化铁的自旋极化效应及势能函数 SpinpolarizationandpotentialenergyfunctionofFeH 物理学报.2014,63(21): 213101 /10.7498/aps.63.213101 电荷俘获存储器的过擦现象 Researchonchargetrappingmemorysovererase 物理学报.2014,63(20): 203101 /10.7498/aps.63.203101 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 64, No. 21 (2015) 213102 电荷俘获存储器数据保持特性第一性原理研究 蒋先伟 鲁世斌 代广珍 汪家余 金波 陈军宁 1) (安徽大学电子信息工程学院, 安徽省集成电路设计重点实验室, 合肥 230601) 2)(合肥师范学院电子信息工程学院, 合肥 230601) ( 2015 年4 月24 日收到; 2015 年7 月3 日收到修改稿) 本文研究HfO 掺入Al 替位Hf 杂质和氧空位共同掺杂对电荷俘获型存储器存储特性的影响. HfO 作 为高介电常数材料由于具有缩小器件尺寸、提高器件性能等优势, 被广泛用于CTM 的俘获层. 采用MS 和 VASP 研究了HfO 俘获层中掺入Al 对氧空位形成能的影响. 同时计算了两种缺陷在不同距离下的相互作用 能. 计算结果表明在HfO 中掺入Al 使得氧空位的形成能降低, 并且三配位氧空位的形成能比四配位氧空位 的形成能降低的更多. 通过研究Al 和三配位氧空位两种缺陷间不同距离的三种情况, 计算结果表明当缺陷间 距为2.107 Å 时, 体系的电荷俘获能最大; 量子态数最