系统级封装(sip)在smt 回焊制程孔洞缺陷之研究 - kuasedutw.pdfVIP

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系统级封装(sip)在smt 回焊制程孔洞缺陷之研究 - kuasedutw

工程科技與教育學刊 第九卷 第三期 民國一○一年九月 第 312 ~321 頁 系統級封裝(SIP )在 SMT 迴銲製程孔洞缺陷之研究 邱建勳、何宗漢、劉旭唐、林書羽、林益生 國立高雄應用科技大學 化學工程與材料工程系 E-mail: thho@cc.kuas.edu.tw 摘 要 近年來,由於環保意識抬頭,在 2003 年 2 月,歐盟所通過的危害性物質限制指令(Restriction of Hazardous Substances Directive ,縮寫RoHS )定於 2006 年 7 月 1 日生效,其主要是規範所有銷往歐盟之電子產品均不 得含有重金屬鉛之材料。因此,傳統生產過程中所有使用鉛的材料,將被現在的無鉛技術-錫、銀和銅的合 成物所取代。在業界,錫球接點常用之無鉛銲錫材料為錫-銀-銅合金系列(SAC family ),由於其高熔點之 特性,在迴銲製程中(Reflow Process ),容易因為較高的溫度,讓無鉛銲錫材料體積快速收縮再加上助銲劑 的揮發,使得空氣來不及逸出而產生孔洞(Void )缺陷。進而造成在可靠度測試時,因極小的應力引起產 品失效。本研究係針對 SiP (System in Package )產品在 SMT (Surface Mount Technology )迴銲製程後所產 生的孔洞缺陷之原因做探討。研究結果顯示在材料方面,若錫膏採用組成顆粒較小的 type4 ,以及鋼板開法 為內縮至 90% ,可有效降低孔洞缺陷比例。 關鍵詞:孔洞缺陷、迴銲製程、系統級封裝(SiP ) 1. 前 言 由於半導體技術不斷蓬勃發展,隨著產品功能的日趨複雜,產品需要愈來愈多的 I/O 數,更快的處理 速度,更大的記憶容量,因此,越來越多的產品不再像早期以單一晶片(single chip )為主,現在更強調多 晶片的組合、連接,進而使得 IC 構裝的角色愈來愈重要。藉由高密度構裝技術,讓 IC 產品可以在更小的 空間內,納入更多的晶片,配置更多的傳遞訊號,從早期的引腳(pin-hole ),一直演進到目前必威体育精装版的晶圓 穿孔(TSV )與晶片堆疊(Stack )技術發展,其中有一個相當重要的封裝技術,就是系統級封裝(System in Package, SiP )1 。 系統級封裝技術(SiP )指的是將不同晶片或其他電子元件,整合於一個封裝模組內,用以執行某種系 統層級的功能,具有高效能與低成本的優勢,此外系統級封裝產生的 EMI 很小,使得 SiP 成為業者目前最 常使用的技術主因。近幾年來,SiP 封裝已廣泛的被應用於消費性產品上,且有越來越多的趨勢。近年來, 由於環保意識抬頭,各種電子產品,都要求須從有鉛材料轉換成無鉛材料。其中亦包含作為電子訊號傳遞 的銲錫材料。然而,當銲錫材料從有鉛材料轉換成無鉛材料,因其高熔點的特性,容易在進行迴銲製程 (Reflow process )時,產生孔洞(Void )缺點,進而在可靠度測試時造成產品失效。 在 Leila2 的研究中,探討了孔洞與迴銲後錫球高度的交互作用,同時也利用有限元素法針對孔洞對產品 延展性與可靠度進行探討。在 Weicheng3 的研究中,探討了利用真空烤箱來進行迴銲以得到無孔洞產品的可 能性,並指出利用壓力差可以將錫球內的氣泡趕出而減少孔洞發生機率。 此外,在 Qiang4 的論文中,則是利用 Miner’s rule 與 Manson-Coffin’s law 進行錫球的疲勞壽命討論,並 利用有限元素分析針對不同的孔洞尺寸大小進行探討,同時也指出孔洞位置對產品疲勞壽命的影響。當孔 洞在晶片與基板兩側皆有時,其壽命會比孔洞只出現在晶片端來得好。 Victor5 則是針對 PQFN 的產品孔洞進行探討,針對孔洞所發生的不同位置,探討其對產品的應力變化。 ©2007 National Kaohsiung University of Applied Sciences, IS

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