三章数字逻辑电路设计03.PPT第三章.pdfVIP

数字电路与逻辑设计 第三章 集成逻辑门 第三章 集成逻辑门 目的与要求： 了解半导体二极管、三级管和MOS的开关特性； 掌握TTL门电路和CMOS门电路的基本工作原理和外特性； 熟悉TTL门电路和CMOS门电路的主要参数，掌握门电路 的正确使用。 重点与难点： TTL门电路和CMOS门电路的外特性。 第三章 集成逻辑门 3.1 晶体管的开关特性 3.2 TTL集成逻辑门 3.3 MOS逻辑门电路 3.4 CMOS电路 3.1 晶体管的开关特性 3.1.1晶体二极管的开关特性 (a) 二极管符号表示 (b) 二极管伏安特性 二极管符号表示及伏安特性 3.1 晶体管的开关特性 晶体二极管开关特性 晶体二极管是由PN结构成，具有单向导电的特性。 在近似的开关电路分析中，晶体二极管可以作为 一个理想开关来分析； 注意 在严格的电路分析中或者在高速开关电路中， 晶体二极管则不能当作一个理想开关。 3.1 晶体管的开关特性 1．二极管的稳态开关特性 (1)加正向电压V 时，二极管导通，管压降V 可忽略。 F D 二极管相当于一个闭合的开关。 D S VR VR IS RL RL （a ）二极管正向导通电路 （b ）二极管正向导通等效电路 外加正向电压的情况 3.1 晶体管的开关特性 (2)加反向电压V 时，二极管截止，反向电流I 可忽略。 R S 二极管相当于一个断开的开关。 D S Is VR VR RL RL （a ）二极管反向截至电路 （b ）二极管反向截至等效电路 外加反向电压的情况 可见，二极管在电路中表现为一个受外加电压控制的开关。 3.1 晶体管的开关特性 2．二极管的动态开关特性 电路处于瞬变状态下晶体管的开关特性称为动态开关特性。 v I i + vD 导通 IF 截止 vF 0.1