半导体CMOS工艺.pdfVIP

CMOS CMOS CMOS Wafer Fabrication Wafer Fabrication Process Process Technology Technology CSMC目前的主要工艺 CSMC目前的主要工艺 F 按照工艺尺寸划分： F按照不同的导电层结构 ´ 3um工艺及3um 以上工艺 划分： ´ 1um及其系列工艺 ´ 0.8um工艺 ´ 单多晶单AL工艺 ´ 0.6um工艺 ´ 双多晶单AL工艺 ´ 0.5um 及以下工艺 ´ 单多晶双AL工艺 F 按照不同的栅划分： ´ 双多晶双AL工艺 ´ AL栅工艺 ^ 冷AL工艺 ´ 硅栅工艺 ^ 热AL工艺 ^ Poly only 工艺 ^ Polycide 工艺 CSMC生产职能的划分 CSMC生产职能的划分 工艺区域的划分： ¬ 光刻部：负责光刻工艺，即通过涂胶、曝光、显影等 步骤在硅片上形成各层光刻图形 ¬ 腐蚀部：负责腐蚀工艺，通过干法腐蚀、湿法腐蚀、 去胶清洗等工艺实现各种图形和走线 ¬ 扩散部：负责热氧化、掺杂、LPCVD、注入工艺 ¬ 薄膜部：负责溅射、APCVD及PECVD工艺 ¬ 工艺研发：new process development ¬ 工艺集成:process integration 制程（原理图） 制程（原理图） 最终形貌 最终形貌 CMOS硅栅工艺简介 （以6S06SPDM-CT01为例 CMOS硅栅工艺简介 （以6S06SPDM-CT01为例 ） ） ( 一，衬底材料的准备 ( 二，阱的形成 在线各类工艺监控： ( 三，隔离技术 在线各类工艺监控： 条宽测量、 ( 四，栅的完成 条宽测量、 电阻测量、 ( 五，源漏的制备 电阻测量、 膜厚测量、 ( 六，孔 膜厚测量、 缺陷及颗粒检测 ( 七，金属1布线 缺陷及颗粒检测 ( 八，平坦化工艺 ( 九，VIA及金属2 ( 十，钝化工艺 CMOS CMOS CMOS Cross Section of the Silicon WaferStarting with a silicon waferMagnifying the Cross Section CMOS n/p-well Formation CMOS CMOS Deposit NitrideDeposit ResistDe