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高!组分多量子阱
第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 8$ # %8 # , , , RGH 58$ ,G 5 # NYN2J %8 ( ) !U%=-%8-8$ # -=8U8 O; 9WXP’O P’,’O !%8 OZD( 5 9Z[2 5 PGI 5 ############################################################### 高 组分 多量子阱 ! !! #$% ! ’( #$’ 材料电致荧光谱的研究! 邵嘉平 胡 卉 郭文平 汪 莱 罗 毅 孙长征 郝智彪 (清华大学电子工程系,集成光电子学国家重点实验室,北京 !#$ ) ( 年 月 日收到; 年 月 日收到修改稿) % ! # %$ !% 研究了高 组分 ( )多量子阱( )结构发光二极管样品在不同注入电流下的电致荧 ’( ’( )* ,- )*, ! . /012 ! ! + ! 光( )谱及反常的双峰现象 结果表明:有源区内建电场在外界电流注入条件下逐渐受屏蔽,这一效应在高 组 34 5 ’( 分’( )* ,- )*, /012 材料的发光复合机理中占有重要地位5 ! ! + ! 关键词: 多量子阱,电致荧光谱,内建电场 ’( )* ,- )*, ! ! + ! : , , , )*++ 6#789 6#7: 6#$) 6%#3 合 文献[— ]做了许多验证内建电场影响发光特 5 = !% !? 引 言 性的工作5 上述研究工作中均未采用电致荧光( )谱对 34 基发光二极管( )及激光二极管( )在 样品的发光机理进行研究,而 34 谱是研究发光复 )*, 43@ 4@ [ — ] 大
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