应变异质外延生长中的自组织纳米结构!.PDFVIP

研究快讯 应变异质外延生长中的自组织纳米结构! .，/ . 0 林志恒 - - 龙文达 - - 游建强 （. 香港理工大学应用物理系- 香港） （0 复旦大学物理系- 上海011233 ） 摘- 要- - 具有纳米尺度的三维岛的阵列能在有应变的外延生长薄膜上自组织生长，包括反量子点和量子分子在内 的其他结构在合适的生长或退火条件下也被观测到’ 讨论了有关这些纳米结构自组织生长的动力学蒙特卡罗模拟计 算中的必威体育精装版进展’ 关键词- - 自组织纳米结构，应变异质外延生长，动力学蒙特卡罗模拟计算，新算法 !#$ % ’’()#* ++,’-./0-/.’ 1+ ’-.1+* 2-.,31-45 456 7*89+,:.，/ - - 4;= 6 . - - ?@; A*+,8B*+,:0 （. !# $%’( )* +## ,-. /012-32 ，4)(5 6)(5 /),130(-3 7(-8%2-1 ，49(5 4)’ ，4)(5 6)(5 ，:0-($ ） （0!# $%’( )* /012-32 ，;9.$( 7(-8%2-1 ，0$(50$- 011233 ，:0-($ ） 6)’-.0-7 7 5CC+DE FG ,+,FE*HIJ #CII J*KI,E*F,+) *E)+,JE +CI L,F, #F EI)G8+EEIKM)I E$F,#+,IF(E)D F, E#C+*,IJ I$*#+N*+) #*, G*)KE’ @#IC E#C(!#(CIE *,!)(J*,: +,#*8JF#E +,J O(+,#(K KF)I!()IE +PI +)EF MII, FMEICPIJ (,JIC +$8 $CF$C*+#I :CF# FC +,,I+)*,: !F,J*#*F,E’ QI J*E!(EE CI!I,# $CF:CIEE F, L*,I#*! 6F,#I 7+C)F E*K()+#*F,E FG #I EI)G8+EEIKM)D FG #IEI E#C(!#(CIE’ 859,.*’7 7 EI)G8+EEIKM)IJ ,+,FE#C(!#(CIE ，E#C+*,IJ I#ICFI$*#+ND ，L*,I#*! 6F,#I 7+C)F E*K()+#*F,E ，,I +):F8 C*#K - - 由于锗（=I ）和硅（^* ）的晶格常数有2_ 的不匹 而用与之相竞争的其他技术，如电子束刻蚀法却难 配，沉积在硅（.11 ）面上无位错外延生长的锗薄膜会有 以做到这一点’ 自组织结构一个有希望的应用例子 压缩应变’ 基于较低的表面能，在少于三个单层的范围 则为用于光通信的量子点激光器，并且在高密度存 内有一个平坦的锗浸润层覆盖在硅表面上’ 继续沉积 储芯片和未来的量子计算机上都有可能得到应用’ 时，三维锗岛将会自发成形以有效地消除弹性应力［.］ 计算机模拟可以提供关于薄膜生长诸多问题深 ’ 这些岛是由四个（.1V ）小面围起的金字塔棱锥体，然后 入、重要的了解’ 由于弹性相互作用的长程特性，用 ［0 ］ 动力学蒙特卡罗方法来模拟计算应变薄膜的形貌演 它们将发展成主要受限于（..3 ）小面的圆丘形小岛 ’ 圆丘形岛有较大的高宽比，更有利于降低应力’ 如果继 化是一个富有挑战性的科学问题’ 一个简单但特别 续沉积生长，将出现有位错的岛’ 类似