微电子器件实验1模版medici nmos.docVIP

南京邮电大学 课内实验报告 课 程 名： 微电子器件设计 任课教师： 专 业： 微 电 子 学 学 号： 姓 名： 2014/2015学年 第2学期 南京邮电大学 电子科学与工程学院 《微电子器件设计》课程实验第 1 次实验报告 实验内容及基本要求： 实验项目名称：NMOS晶体管的器件模拟 实验类型：验证 每组人数：1 实验内容及要求： 内容：采用MEDICI仿真软件验证NMOS晶体管电特性。 要求：能够用MEDICI编制程序、会分析NMOS关键参数对电特性的影响。 实验考核办法： 实验结束要求写出实验报告。内容如下： 1、问题的分析与解答； 2、结果分析，并将结果返回到器件的实际设计中； 3、器件设计的进一步思考。 实验结果：（附后） 实验代码如下： TITLE Avant! MEDICI Example 1 - 1.5 Micron N-Channel MOSFET COMMENT Specify a rectangular mesh MESH SMOOTH=1 X.MESH WIDTH=3.0 H1=0.125 Y.MESH N=1 L=-0.025 Y.MESH N=3 L=0. Y.MESH DEPTH=1.0 H1=0.125 Y.MESH DEPTH=1.0 H1=0.250 COMMENT Eliminate some unnecessary substrate nodes ELIMIN COLUMNS Y.MIN=1.1 COMMENT Increase source/drain oxide thickness using SPREAD SPREAD LEFT WIDTH=.625 UP=1 LO=3 THICK=.1 ENC=2 SPREAD RIGHT WIDTH=.625 UP=1 LO=3 THICK=.1 ENC=2 COMMENT Use SPREAD again to prevent substrate grid distortion SPREAD LEFT WIDTH=100 UP=3 LO=4 Y.LO=0.125 COMMENT Specify oxide and silicon regions REGION SILICON REGION OXIDE IY.MAX=3 COMMENT Electrode definition ELECTR NAME=Gate X.MIN=0.625 X.MAX=2.375 TOP ELECTR NAME=Substrate BOTTOM ELECTR NAME=Source X.MAX=0.5 IY.MAX=3 ELECTR NAME=Drain X.MIN=2.5 IY.MAX=3 COMMENT Specify impurity profiles and fixed charge PROFILE P-TYPE N.PEAK=3E15 UNIFORM OUT.FILE=MDEX1DS PROFILE P-TYPE N.PEAK=2E16 Y.CHAR=.25 PROFILE N-TYPE N.PEAK=2E20 Y.JUNC=.34 X.MIN=0.0 WIDTH=.5 + XY.RAT=.75 PROFILE N-TYPE N.PEAK=2E20 Y.JUNC=.34 X.MIN=2.5 WIDTH=.5 + XY.RAT=.75 INTERFAC QF=1E10 PLOT.2D GRID TITLE=Example 1 - Initial Grid FILL SCALE COMMENT Regrid on doping REGRID DOPING LOG IGNORE=OXIDE RATIO=2 SMOOTH=1 + IN.FILE=MDEX1DS PLOT.2D GRID TITLE=Example 1 - Doping Regrid FILL SCALE COMMENT Specify contact parameters CONTACT NAME=Gate N.POLY COMMENT Specify physical models to use MODELS CONMOB FLDMOB SRFMOB2 COM