铁电 CY15B104Q_4Mbite_cn 中文资料.pdfVIP

CY15B104Q 4 Mbit （512 K × 8 ）串行（SPI ）F-RAM 2 Mbit （256 K × 8 ）串行 （SPI ） F-RAM 性能 功能说明 ■ 4 Mbit 铁电性随机存取存储器 （F-RAM）的逻辑组织方式为 CY15B104Q 是使用了高级铁电工艺的 4 Mbit 非易失性存储器。 512 K x 8 铁电性随机存取存储器（即 F-RAM）是一种非易失性存储器， ❐ 高耐久性：100 万亿 （1014）次写/ 读 其读和写操作方式与 RAM 一样。它提供 151 年的可靠数据保留 ❐ 151 年的数据保留时间 （参考数据保留时间和耐久性表） 时间，并解决了由串行闪存、 EEPROM 和其他非易失性存储器 ❐ NoDelay™ 写操作 造成的复杂性、开销和系统级可靠性的问题。 ❐ 可靠性较高的高级铁电工艺 与串行闪存和 EEPROM 不同的是， CY15B104Q 以总线速度执 ■ 高速串行外设接口（SPI ） 行写操作。并且它不会引起任何写操作延迟。在每个字节成功传 ❐ 频率高达 40 MHz 输到器件后，数据立即被写入到存储器阵列。这时，可以开始执 行下一个总线周期而不需要轮询数据。此外，与其他非易失性存 ❐ 串行闪存和 EEPROM 的硬件直接替代 储器相比，该产品提供了更多的擦写次数。 CY15B104Q 能够支 ❐ 支持 SPI 模式 0 （0,0 ）和模式3 （1,1） 14 持 10 读 / 写周期，或支持比 EEPROM 多 1 亿次的写周期。 ■ 精密的写入保护方案 由于具有这些特性，因此CY15B104Q 适用于需要频繁或快速写 ❐ 使用写保护 （WP ）引脚提供硬件保护 入的非易失性存储器应用。示例的范围包括从数据收集（其中写 ❐ 使用写禁用指令提供软件保护 周期数量是非常重要的）到满足工业级控制 （其中串行闪存或 ❐ 可为 1/4、 1/2 或整个阵列提供软件模块保护 EEPROM 的较长写时间会使数据丢失）。 ■ 设备 ID