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2017-05-27 发布于浙江
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铁电薄膜性能测量实验

DOI :10.141 9/j.cnki .cn22 -1228.2008.04.027 21 4 　　　　　　 Vol.21 No.4 2008 12 PHYSICAL EXPERIMENT OF COLLEGE Dec.2008 :1007-29 4 (2008)04-0006-0 王东生　叶　进　付　欣　吴　平 (, , 210016) 　　SrBi Ta O , 2 2 9 , 。　;; :O484.5　　　　:A , P E , , 1 。 ,“0”“1”, 。, 、、、 ,, , 。 1　 TD-88A ,SrBi2Ta2O9 (SBT ) 。 2　 2 Sawyer 。 V , C0 C , C x 0 ΔV C0 。 2　 P , E , :2008-07-16 — 6 — 。 SBT Pt/TiO / 2 SiO /Si ,, 0. 2 2mm, 。4 ,, ,, , , ,。 ,,, 。　SBT 4　 ,,, 。5 , ,P ,,, 。, ,SB T 。 5　2V, 4V, 6V SB T 6 90 SBT ,1μs 。 , 。 — 7 — 6　SBT 　 , ,,: 1).、、 ,; 2)., 、 ,; ).,,, 。 [1] 　.[M] .:, 1998 [2] 　Scott J F, Paz de Araujo C A.Ferroelectric Memories[J].Science, 1989 A MEASUREMENT EXPERIMENT OF FERROELECTRIC THIN FILM PROPERTY Wang Dongsheng 　Ye Jin　Fu Xin　Wu Ping (Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, Nanjing, 210016) Abstract:The ferroelectric properties of SrBi Ta O thin film are measured by ferroelectric measurement instrument. 2 2 9 For the film,we study the dependence of hysteresis loop on applied voltage.Furthermore, the fatigue property is stud- ied. Key Words:ferroelectric thin film;hysteresis