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“数字电子技术基础”第5版阎石第03章门电路1
第3章 门电路;3.1 概述;集成电路Integrated Circuits(IC) :;CMOS集成电路: 广泛应用于超大规模、甚大规模集成电路;获得高、低电平的基本原理;正逻辑和负逻辑;3.2 分立元件门电路;一、半导体二极管的开关特性;反向截止时
反向饱和电流极小
反向电阻很大(约几百kΩ)
相当于开关断开;VI=VIL
D导通,VO=VOL=0.7V
开关闭合;二极管的动态电流波形:;二、三极管的开关特性;双极型三极管的基本开关电路;开启时间ton ;3.2.2 二极管与门;3.2.3 二极管或门;二极管构成的门电路的缺点:;上次课内容回顾;3.3 TTL门电路;3.3.1 TTL 反相器;T1的发射结导通VB1=VIL+VoN=0.9v
T2 、T5截止
T4导通;② A输入高电平时;需要说明的几个问题;3.2.2 TTL非门的外部特性及主要参数1. 电压传输特性和相应参数;;(1) 输出高电平VOH:AB段所对应的输出电平,一般大于等于3V;
(2) 输出低电平VOL:DE段对应的输出电平,一般小于0.4V。;(3) 开门电平UON
一般要求UON≤1.8V
(4) 关门电平UOFF
一般要求UOFF≥0.8V;2. 输入端噪声容限
反应抗干扰能力的物理量;;3. 输入特性;4. 输出特性;(2)输出为低电平时的输出特性;5.输入端负载特性; 在一定范围内,uI随RI的增大而升高,输出高电平。但当输入电压uI达到1.4V以后,uB1 = 2.1V,RI增大,由于uB1不变,故uI = 1.4V也不变。这时T2和T5饱和导通,输出为低电平。;RI 不大不小时,工作在线性区或转折区。; (1) 关门电阻ROFF —— 在保证门电路输出为额定高电平的条件下,所允许RI 的最大值称为关门电阻。典型的TTL门电路ROFF≈ 0.7kΩ。 ;6.扇入系数NI和扇出系数NO;7. 平均传输延迟时间tpd
;3.3.3 其他类型的TTL门电路;2. 或非门;4.异或门;TTL与非门举例;二、集电极开路的门电路;线与结构;2、OC门的结构特点;2.OC门应用 (1)OC门实现的线与逻辑;(2)驱动显示器;上次课内容回顾:;三、三态输出门(Three state Output Gate ,TS);分两种情况:;三态门的使用;一、高速系列74H/54H (High-Speed TTL)
电路的改进
(1)输出级采用复合管T3和T4,减小门电路输出高电平时的输出电阻,提高对电容性负载的充电速度。
(2)减少各电阻值,加速三极管开关速度。
2. 性能特点
速度提高的同时,功耗增加,因为电流增大了。;二、肖特基系列74S/54S(Schottky TTL);三、低功耗肖特基系列
74LS/54LS (Low-Power Schottky TTL)
四、74AS,74ALS (Advanced Low-Power Schottky TTL)
· · ·
;为什么要用OC门?
OC门的工作条件?OC门有何应用?
三态门有哪三态?三态门有何应用?
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