《企业产品标准编制说明》编写作业指导书-中国有色金属标准质量信息网.doc

电子薄膜用高纯Cu靶材标准编制说明 一、前言 20世纪90年代以来，微电子行业新器件、新材料迅速发展，电子薄膜、磁性薄膜、光电薄膜等已经广泛应用于高新技术和工业领域。高科技产业的高速发展，促使靶材的生产逐渐发展成为一个专业化产业。我国为更好的，标准标准制定的必要性 众所周知，靶材材料的技术发展趋势与下游应用产业的薄膜技术息息相关。随着应用产业在薄膜产品或元件上的技术改进，靶材技术也随之变化，对所需靶材的质量提出了越来越高的要求，在需求数量方面也是不断增加。近年来，我国电子信息产业的发展飞速，我国已逐渐成为世界上薄膜靶材的最大需求地区之一。但是大量靶材需要从国外进口。现行国家标准、行业标准的执行情况 靶材作为溅射沉积薄膜的原材料有很强的应用目的和应用背景。主要技术指标、试验方法和检验规则的目的和依据 1、2、 根据实际需要及溅射机台的类型，铜靶材有不同的尺寸要求。半导体用铜靶材需要高精度的外观尺寸3、 ①晶粒：靶材的晶粒度大小影响靶材的溅射性能。 ≤50 ≤150 6N Cu ≤50 — ≤50 ≤150 注：客户有要求的按客户要求。 ②晶向：靶材晶向分布影响其使用性能，包括溅射的速率、溅射镀膜的均匀性等，所以行业内对合格靶材的晶向都有着严格的控制要求。通过对目前行业内主流客户普遍使用的铜靶材的晶向的详细分析，我们制定了合格高纯铜靶材的晶向分布要求，如表2所示。 表2 电子薄膜用铜靶晶向分布要求 晶面 （111） （200） （220） （311） （331） （420） （222） （400） 要求 ≤30% ≤30% ≤30% ≤30% ≤30% ≤30% ≤30% ≤30% 铜靶材的晶向分布可采用XRD（X射线衍射仪）或是EBSD（背散射电子像）进行测定。采用XRD可以定量的分析计算各个晶向所占比例，采用EBSD测试可以直观的观察各个晶向的分布。 4、 电子薄膜用铜靶材在溅射前焊接后必须经过超声波检验，保证两者的结合区域，满足大功率溅射的要求而不至于脱落。5、无造成使用上不良的因素，如变形、凹陷、锈迹、脏污、碰伤、擦伤、异物等缺陷；6、 鉴于靶材的使用条件，靶材内部无气孔、夹杂物等缺陷影响溅射时的沉积速率、溅射产生的膜粒子的密度和放电现象等，还影响着溅射薄膜的电学和光学性能。7、 对靶材进行全面的清洗，确保靶材表面无玷污和颗粒附加物附着后，直接进行真空包装。8、检验规则试验方法 9、主要 高纯铜 ?GB/T 26017-2010 锻制品的超声波检测的标准实施规程 ? ASTM E2375-2008 焊接无损检验?EN 1712 金属抛光表面质量检测及评判规则HG/T 4079-2009 铜及铜合金平均晶粒度测定方法YS/T 347 计数抽样检验程序GB/T2828.1-2003 六、其他