Ch-1TFTdispayintroduction讲解.ppt

AMLCD Pixel-TFT Performance Requirements Ability to deliver ±5V to pixel VDS = 10 V ION, IOFF requirements: ION sufficient to charge Cpixel within 1 line time VGS = 20 to 25 V IOFF sufficient to maintain voltage on Cpixel for 1 frame time * Al SiO2 n n p Si 基板 Gate (閘極) Source(源極) Drain(汲極) VD ○ + VG=3V ε (Transconductsnce) 轉導 電晶體閘極控制能力 ID VD VG=3 VG=2 VG=1 VG=0 * * 線性區電流： 飽和區電流： 非晶矽(硅) TFT-電性  Transfer characteristics of a-Si: H TFTs 非晶矽(硅)TFT電性量測 I-V transfer characteristic Comparison Crystalline TFT Polysilicon TFT Amorphous TFT ACTIVE MATRIX EQUIVALENT CIRCUIT VGA SXGA Charge time 32 ms 15 ms Pixel capacitance 1 pF 0.5 pF TFT drive current ~ 1 mA ~ 1 mA TFT leakage 1 pA 0.5 pA DVpixel = 20 mV (6-bit gray scale) t = 16.7 ms (60 Hz refresh rate) * * * * 非晶矽(硅)薄膜特性 n-type a-Si Energy band diagram Subgap states for a-IGZO * 說明一下由溫度造成的不同結晶與速度 在a-Si具有 Low mobility Photo current 應用在畫素的開關元件 Poly-Si High mobility Photo insenstivite Their arrangement is very Depositiion temperature is 應用在驅動電路上 在C-Si 他具有比poly-Si更高的mobility 電性是三者中最好的 * * * * * * * 薄膜晶體管器件物理TFT Device Physics 張鼎張 國立中山大學 物理系 2012/09/14 * 張鼎張 教授簡介: 現職：國立中山大學 物理系 特聘教授 『有庠奈米科技』講座 中國科學院 微電子研究所 榮譽研究員 專長: 薄膜晶體管(TFT)平面顯示器(a-Si、poly-Si、InGaZnO) 前瞻晶體管器件(SOI、Strain-Si、metal gate/high-k)  記憶體元件 (Nano-dots、SNONS、RRAM) 半導體器件物理 著作: SCI國際期刊 共計 300 餘篇 台灣專利 共 100 餘項 美國專利 共 50 餘項 技術轉移共 9 項 * 課程大綱 1. AM-LCD 與 AM-OLED 簡介 a-Si TFT device physics and structure Poly-Si TFT device physics and structure 4. InGaZnO TFT device physics AM-LCD Structure 顯示原理 AMLCD (TFT-LCD)(Active Matrix ) ?高解析度 , 高反應速度, 高畫質 AM-OLED Active-Matrix Organic Light Emitting Diode 高分子材料一般對於電洞的傳遞速率都較對電子的傳遞速率快，所以要提升 效率必須在負極與發光層之間，引進電子傳遞層，以增加電子注入及傳導的效率。? 電荷載子在不同層間的傳導性質，可以決定發光的效率。 Structure Cross Section of TFT-OLED Organic Light Emitting Diode OLED LCD Wide viewing angle Brightness and color Thickness Movement 1. Self-emissive2. Very thin form factor3. Hig