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一、线痕 分类：线痕按表现形式分为杂质线痕、划伤线痕、密布线痕、错位线痕、边缘线痕等。各种线痕产生的原因如下： 1、杂质线痕：由多晶硅锭内杂质引起，在切片过程中无法完全去除，导致硅片上产生相关线痕。 表现形式：（1）线痕上有可见黑点，即杂质点。 ?????（2）无可见杂质黑点，但相邻两硅片线痕成对，即一片中凹入，一片凸起，并处同一位置。（3）以上两种特征都有。 ?????（4）一般情况下，杂质线痕比其它线痕有较高的线弓。 改善方法：（1）改善原材料或铸锭工艺，改善IPQC检测手段。 ?????（2）改善切片工艺，采用粗砂、粗线、降低台速、提高线速等。 其它相关：硅锭杂质除会产生杂质线痕外，还会导致切片过程中出现“切不动”现象。如未及时发现处理，可导致断线而产生更大的损失。 2、划伤线痕：由砂浆中的SIC大颗粒或砂浆结块引起。切割过程中，SIC颗粒“卡”在钢线与硅片之间，无法溢出，造成线痕。 表现形式：包括整条线痕和半截线痕，内凹，线痕发亮，较其它线痕更加窄细。 改善方法：（1）针对大颗粒SIC（2.5~3D50），加强IQC检测；使用部门对同一批次SIC先进行试用，然后再进行正常使用。 ?????（2）导致砂浆结块的原因有：砂浆搅拌时间不够；SIC水分含量超标，砂浆配制前没有进行烘烤；PEG水分含量超标（重量百分比0.5%）；SIC成分中游离C（0.03%）以及2μm微粉超标。 其它相关：SIC的特性包括SIC含量、粒度、粒形、硬度、韧性等，各项性能对于切片都有很大的影响。 3、密布线痕（密集型线痕）：由于砂浆的磨削能力不够或者切片机砂浆回路系统问题，造成硅片上出现密集线痕区域。 表现形式：（1）硅片整面密集线痕。 ??? ?（2）硅片出线口端半片面积密集线痕。 ?????（3）硅片部分区域贯穿硅片密集线痕。 ?????（4）部分不规则区域密集线痕。 ?????（5）硅块头部区域密布线痕。 改善方法：（1）硅片整面密集线痕，原因为砂浆本身切割能力严重不足引起，包括SIC颗粒度太小、砂浆搅拌时间不够、砂浆更换量不够等，可针对性解决。 （2）硅片出线口端半片面积密集线痕。原因为砂浆切割能力不够，回收砂浆易出现此类情况，通过改善回收工艺解决。 ???? （3）硅片部分区域贯穿硅片密集线痕。原因为切片机台内砂浆循环系统问题，如砂浆喷嘴堵塞。在清 洗时用美工刀将喷嘴内赃物划向两边。 ?????（4）部分不规则区域密集线痕。原因为多晶硅锭硬度不均匀，部分区域硬度过高。改善铸锭工艺解决此问题。 ?????（5）硅块头部区域密布线痕。切片机内引流杆问题。 4、错位线痕：由于切片机液压夹紧装置表面有砂浆等异物或者托板上有残余胶水，造成液压装置与托板不能完全夹紧，以及托板螺丝松动，而产生的线痕。 ??? 表现形式： ??? 改善方法：规范粘胶操作，加强切片前检查工作，定期清洗机床。 5、边缘线痕：由于硅块倒角处余胶未清理干净而导致的线痕。 ??? 表现形式：一般出现在靠近粘胶面一侧的倒角处，贯穿整片硅片。 ??? 改善方法：规范粘胶操作，加强检查和监督。 硅片表面线痕问题探讨如下：? ? 1.? 硅片表面偶尔出现单一的一条阴刻线（凹槽）或一条阳刻线（凸出），并不是由于碳化硅微粉的大颗粒造成的，而是单晶硅、多晶硅在拉制或浇筑过程中出现的硬质点造成线网波动形成的；2.? ?硅片表面在同一位置带有线痕，很乱且不规则，我认为是导轮或机床震动过大或者是多晶硅铸锭的大块硬质点造成的；??3.? ?重启机床后第一刀出现线痕——机床残留水分或液体，造成砂浆粘度低，钢线粘附碳化硅微粉量下降，切削能力降低。4.? ?调整新工艺、更换新型耗材后出现线痕：? 砂、液比例不合适，或液体粘度太大，造成砂浆粘度太大或太小，砂浆难以进入线缝或碳化硅含量较低。? 碳化硅切割能力差，无法与切割速度相适应。? ?钢线圆度不好，进入锯缝砂浆量不稳定。? ?钢线的张力太大或太小，造成钢线携带砂浆能力差或线弓太小砂浆无法正常进入锯缝。? ?钢线速度过快或过慢，造成砂浆无法粘附或切割效率下降，影响切割效果。? ?各参数适配性差。5. 硅片切割到某一段出现偏薄或偏厚的废片，分界非常明显，一般是由于跳线引起的，跳线的原因：? 导轮使用时间太长，严重磨损引起的跳线。? ?砂浆的杂质进入线槽引起的跳线。? ?导轮表面脏污。? ?晶棒端面从切割开始到切割结束依次变长，造成钢线受侧向力而跳出槽外。? ?晶棒存在硬质点，造成钢线偏移距离过大跳出槽外。 3. 4.切割中集中在某一段的废片，是由于跳线引起的；跳线的原因：①导轮使用时间太长、严重磨损引起的跳线（导轮使用次数一般为75-85次），②沙浆的杂质进入线槽引起的跳线。 5.常见阴刻线线痕，由于晶棒本身有生成气孔，