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用于太阳能电池的多晶硅锭片晶体学特征研究
用于太阳能电池的多晶硅锭片晶体学特征研究 11 用于太阳能电池的多晶硅锭片晶体学特征研究 Featuresof Silicon StudyPolycrystalline Crystallographic forSolarCells Ingot 徐卫平1，王云1，胡 勇1，周 浪2 (1南昌航空大学航空与机械工程学院， XU Yunl，HU Lan92 Wei—pin91，WANGYon91，ZHoU (1SehoolofAeronauticalandMechanical Engineering， 330063，China； NanchangHangkongUniversity，Nanchang 2 ofMaterial School 330031，China) Engineering，NanchangUniversity，Nanchang 摘要：用背散射电子衍射分析技术研究铸造多晶硅锭切片的晶体学特征。结果表明：多晶硅锭晶体内部几乎没有取向 差，取向差主要存在于晶界处；多晶硅锭切片中的大部分晶界为大角度晶界，且以三3为主，同时还存在少量小角度晶界。 多晶硅制作太阳能电池转换率低可能与三3所占比例过高有关。 关键词：多晶硅锭片；EBSD取向差；晶界；23 中图分类号：TN304．052；N16文献标识码：A 文章编号：1001—4381(2009)05一0011一03 studied back Abstract：The characterin silicon was electron grainboundary polycrystallineingot by scattered resultsshowedthattherewas nomisorientationina diffraction(EBSD)．The nearly crystal． Themisorientationwas in boundariesof silicon bounda— mainlygrain ingot．Mostgrain polycrystalline rieswereobservedwith boundaries．Z3wasthechiefofthese largeanglegrain largeanglegrain alsoobservedwithalowratio．Low solar boundaries．S
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