具有降场电极U形漂移区SOI-LDMOS的耐压特性.pdfVIP

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2015-09-20 发布于湖北
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具有降场电极U形漂移区SOI-LDMOS的耐压特性.pdf

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第卷第期半导体学报 24 2 VO1. 24 NO. 2 年月 2OO3 2 CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS Feb . 2OO3 ================================================================= 具有降场电极形漂移区 - U SOI LDMOS 的耐压特性罗卢杨方健罗萍李肇基电子科技大学设计中心成都 ( IC 61OO54D 摘要提出了一种具有降场电极形漂移区借助泊松方程对其场分布进行解析分析和数值分 : - 2 U SOI LDMOS D 析结果证明该结构在与结构相同的耐压下具有器件长度小漂移区浓度高导通电阻小的特点这表 RESURF . 明降场电极是一种缓和漂移区掺杂浓度和耐压之间矛盾的有效方法. 该结构是一种器件耐压与导通电阻优化的新途径. 关键词: SOI ; LDMOS; RESURF EEACC : 256OB ; 256OR 中图分类号: TN 386. 2 文献标识码: A 文章编号: O253-4177(2OO3D O2-O194-O4 场分布提高漂移区浓度降低了导通电阻 . 1 引言 2 二维电场分布解析由于技术采用介质隔离其泄漏电流小 SOI 寄生电容低集成度高抗辐射能力强近来有很大具有降场电极形漂移区 - 如图1 U SOI LDMOS 的发展[1~ 3] 在高压器件方面提高耐压和降低所示常规如图所 . ( D - 1 ( D SOI a RESURF SOI LDMOS b 导通电阻是个重要的课题 [4 5] 示