第九章静电场第04.pptVIP

= π q r 2 ε 4 0 d r ò R1 r r q ε π 4 0 = 1 1 R1 ( ) E 1 = π q r 2 ε 4 0 + E 3 = π q r 2 ε 4 0 Q E 2 = 0 = UR1 Ur . E d r ò R1 r 1 (2) up down back Q q r R1 R2 + q q (3)接地后 up down back Q q r R1 R2 + q q q r R1 R2 -q (3)接地后 up down back = . E d r ò R1 r 1 = π q r 2 ε 4 0 d r ò R1 r r q ε π 4 0 = 1 1 R1 ( ) = UR1 Ur = Ur . E d r ò r 1 地 E 2 = 0 E 1 = π q r 2 ε 4 0 E 3 = 0 (3)接地后 up down back q r R1 R2 -q 空腔导体(不论接地与否)内部电场不受外表 面上的电荷或外界电场的影响；接地空腔导体的 外部空间不受空腔内电荷的影响，这种现象叫静 电屏蔽。 六、静电屏蔽(electrostatic shield) 一．孤立导体的电容(capacitance) 理论和实验表明，一个孤立导体的电势U 与其所带电量q 成正比，其比值是由导体形状和大小所决定的量。 定义：孤立导体所带电量Q 与其电势U 之比为该孤立导体的电容C 电容的单位：法拉（F）1F=106μF=1012PF up down back ε π 4 = R o Q Q C 例如，一个孤立金属球的电容是 = ε π 4 o R R + + + + + + + + + + Q 9—5 电容 电容器(capacitor) 二．电容器的电容 （相互邻近的两个导体的组合即构成电容器） 定义：当电容器的两极板分别带有等值异性电荷时，其中一个极板带电量的绝对值Q 与两极板 电势差UAB的比值为电容器的电容C （电容器的电容决定于电容器的几何形状、大小及极板间的介质，和电容器是否带电及带电多少无关） up down back up down back 电容器分类 按形状分:平行板电容器、圆柱形电容器、 球形电容器 按极板间的介质分:空气电容器、云母电容 器、陶瓷电容器、电解电容器 按结构分:可变电容器、半可变电容器、固 定电容器 三 、电容之计算 1.平行板电容器 up down back 由两块彼此靠近的导体板组成 + + + +++ - - - - - - - 极板间的电场强度为: 极板间的电势差为: 则电容器的电容为: up down back 2.圆柱形电容器 由两个半径分别为RA和RB的同轴圆柱导体构 成，长度L比半径RA 、 RB大得多，略去两端的边 缘效应，可把圆柱面看成是无限长的。 ++++ ---- 极板间场强为: 极板间的电势差为: 则电容为: * 一、静电感应(electrostatic induction) up down back E 外 方向与外场 相反 ， 导体表面出现的电荷叫“感应电荷”。 E E 外 E 感 + = 内 电场中的导体由于受到电场的作用而使其 电荷重新分布的现象称作“静电感应”。 E 感 感应电荷产生的电场称作附加电场 ， 所以导体内部的电场为： 导体的静电感应过程 无外电场时 up down back 导体的静电感应过程 加上外电场后 E 外 up down back 导体的静电感应过程 加上外电场后 E 外 + up down back 导体的静电感应过程 加上外电场后 E 外 + + up down back 导体的静电感应过程 加上外电场后 E 外 + + + up down back 导体的静电感应过程 加上外电场后 E 外 + + + + + up down back 导体的静电感应过程 加上外电场后 E 外 + + + + + up down back 导体的静电感应过程 加上外电场后 E 外 + + + + + + up down back 导体的静电感应过程 加上外电场后 E 外 + + + + + + + up down back 导体的静电感应过程 加上外电场后 E 外 + + + + + + + + up down back 导体的静电感应过程 加上外电场后 E 外 + + + + + + + + + up down back 导体的静电感应过程 + 加上外电场后 E 外 + + + + + + + + + up down back 导体的静电感应过程 + 加上外电场后 E 外 + + + + +