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维普资讯 第30卷第4期 . 压 电 与 声 光 Vo1.30No.4 2OO8年8月 PIEZOEIECTECTRICS8LAC0UST00PTICS Aug.2008 文章编号 :1004—2474(2008)04—0450—03 BaTiO3一Yb203一MgO系陶瓷居里点移动机理研究 杜 雯,袁 颖,王 升 ,张树人 (电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川I成都 610054) 摘 要 :通过在 BaTiO。陶瓷中单独添加 YbO。或复合添加 MgO/YbO。,研究了不 同含量 Yb”掺杂对 Ba— ()3陶瓷居里点的影响。研究表明,在 BaTiO。陶瓷中单独添加 Yb”使陶瓷介电常数减小,介 电常数温度特性改 善 ,但不会影响居里温度。而同时添加 Mg 与 Yb”时,BaTiO。陶瓷的温度特性能满足 X8R(一55~150℃,电容 变化率 ac/c~±15 ,)标准,且系统的居里点随Yb”含量增大而升高,掺入 Yb”每增加 1 (摩尔比)使居里点 提高 2℃。研究认为,BaTiOs居里点向高温方向移动是 由于在具有壳一芯结构 BaTiO 陶瓷中,Yb”取代 Ti使晶 粒壳晶胞体积增大,对晶粒芯产生张应力所致 。 关键词:Barrj()3;XSR;介电性能;居里点 中图分类号 :TM 534 文献标识码 :A StudyontheM echanism ofCurieTemperatureShiftingin BaTiO3一Yb203-M gO System Ceramics DU M in,YUAN Ying,WANG Sheng,ZHANG Shu-ren (StateKeyLab.ofElectronicThinFilmsandIntegratedDevices,UniversityofElectronicScienceandTechnologyofChina。 Chengdu610054.China) Abstract:Inthispaper,theeffectsofdifferentamountsofYb substitutionontheCurictemperatureofBa— TiO3ceramicswereinvestigated.Itwasobservedthatthedielectricconstantwasdecreasedandthecapacitance-tem— peraturecharacteristicwasimprovedbyonlyYb” addition.However,Yb” replacementhadlittleeffectontheCu— rietemperature.Ontheotherhand,whenMg andYb wereaddedtOBaTjOssimultaneously.thetemperature characteristicofBaTiO3ceramicscouldsatisfytheX8R specification.Moreover,theCuricpointwasshiftedtowards highertemperatureswithincreasingYb” amountsbytherateof2℃ withanadditionof1 Yb外 Itwasrevealed
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