BaxSr1-xTiO3铁电薄膜电极材料的研究进展.pdfVIP

维普资讯 第27卷 第3期 硅 酸 盐 通 报 Vo1．27 No． 3 2008年6月 BULLETIN 0F THE CHINESE CERAMIC SOCIETY June．2008 B Sr1TiO3铁电薄膜 电极材料的研究进展 辛立强，付兴华，陶文宏 (济南大学材料科学与工程学院，济南 250022) 摘要：BST铁电薄膜具有优异的介电性能，电极材料特别是底电极材料，影响并决定BST薄膜的电学及介电行为， 选择合适的电极材料对 BST薄膜的性能至关重要 ，本文综述了电极材料对 lIST薄膜结构和介电性能的影响以及此 方面的必威体育精装版研究成果。 关键词 ：BST薄膜；电极材料；钙钛矿氧化物；介电性能；漏电流 中图分类号：TB383 文献标识码：A 文章编号：1001-1625(2008)03-0542-04 ProgressofResearch on theElectrodeofBa1 ． Sr~TiO3(BST) FerroelectricThinFilm XIN Li-qiang，FU 几g-hua，TAO Wen- ，lg (SchoolofMaterialsScienceandEngineering，UniversityofJinna，Jinna 250022，China) Abstract：BST thinfilm hasoutstandingdielectricproperty．ItWas discoveredthatthewholeelectrical propertiesofBSThtinfilmsaredeterminedbytheelectrodematerials，especiallyhtebottom electrode．So chosenhtematchingelectrodematerial isveryimportant．Reviewedarehteachievementsontheelectrode ofB lSrTiO3thinfiml inrecentyears，andtheeffectofelectrodematerialsondielectricpropertiesand structuresofBST htinfilms． Keywords：BSThtinfiml ；electrodematerial；perovskiteoxideconductivematerials；dielectricproperty； leakagecurrent 1 引 言 铁电薄膜的制备技术和半导体集成技术的快速发展，推动了铁电薄膜及其集成器件的实用化。铁电材料 已经应用于铁电动态随机存储器(FDRAM)、铁电场效应晶体管(FEET)、铁电随机存储器 (FFRAM)、IC卡、红 外探测与成像器件、超声与声表面波器件 以及光 电子器件等十分广阔的领域。在众多铁电薄膜材料中， (Ba，sr)TiO，(BsT)有介电常数高、损耗因子小、热释电效应显著、对光吸收系数低等特点，并且通过调整 Ba／Sr比可以改变其居里温度，Mg掺杂可以提高 BST薄膜的介电常数 ¨J。在动态随机存储器 (DRAM)、热 释电红外探测器、移相器等器件的制造中，BST铁电薄膜有广泛的应用 J。BST薄膜的应用必须与电极材 料组成金属一绝缘体．金属(MIM)结构，即BST薄膜 电容器。选择不同的电极材料特别是底电极材料，将会直 接决定BST薄膜的微观结构、缺陷(主要是氧空位)密度、BST-金属接触的耗尽层宽度和势垒高度，因而决定 了BST薄膜的电学及介电行为。除要求所选择的