独特谐振模式下薄膜体声波谐振器的设计.pdfVIP

第 卷 第 期 光学 精密工程 １７ ６ 　 Ｖｏｌ．１７ Ｎｏ．６ 　 　 　　 　　　　　　 Ｏ ｔｉｃｓａｎｄＰｒｅｃｉｓｉｏｎＥｎｉｎｅｅｒｉｎ 　　　 　　　 　 年 月 　 ｐ ｇ ｇ ２００９ ６ Ｊｕｎ．２００９ 　 　 　 文章编号 （ ） １００４９２４Ｘ２００９０６１２５１０６ 　 独特谐振模式下薄膜体声波谐振器的设计 莫绍孟，陈剑鸣，吴光敏，赵建军 （昆明理工大学 理学院 ＭＥＭＳ实验室，云南 昆明１００８６） 摘要：计算了四层复合结构的薄膜体声波谐振器（ ）的输入阻抗谱，各层采用的材料分别是 ／ ／ ／ ，其尺寸 ＦＢＡＲ ＡｌＡｌＮ ＡｌＳｉ ２ ２ 为 ／ ／ ／ ，得出其有效机电耦合系数 随谐振模式的分布情况，从而得到最大 的独特谐振 ０．８ ｍ １．９ ｍ ０．８ ｍ １００ ｍ 犽ｆｆ 犽ｆｆ μ μ μ μ ｅ ｅ 模式在 为第 阶谐振模式。从理论上探讨了各层的尺寸及材料属性对该独特谐振模式及其频移的影响，以 １ ２ＧＨｚ ４０ ～ 及串联谐振品质因数 ＦＯＭ等滤波器设计的主要性能参数在该模式下的分布情况。实验结果表明，工作在独特谐振模 式下的ＦＢＡＲ的性能依赖于各层材料尺寸，当压电层厚度从 ０．２ ｍ变到 ４．３ ｍ时，特殊谐振模式频率从 １．２ＧＨｚ增 μ μ 加到 ４．８ＧＨｚ；当基底厚度变厚时，有效机电耦合系数从 ３．２％变到 ０．８％，串联品质因数从 ２０００变到 ７００；而电极变厚 后，有效机电耦合系数趋于一个稳定值。这些数据在实际设计过程中对滤波器的微调具有参考意义。 关 键 词：薄膜体声波谐振器；有效机电耦合系数；品质因数 　 　 中图分类号： 文献标识码： ＴＮ７５２ Ａ 　　 犇犲狊犻狀狅犳狋犺犻狀犳犻犾犿犫狌犾犽犪犮狅狌狊狋犻犮狉犲狊狅狀犪狋狅狉狌狀犱犲狉狌狀犻狌犲犿狅犱犲 犵 狇 ， ， ， ＭＯＳｈａｏｍｅｎ ＣＨＥＮＪｉａｎｍｉｎ ＷＵＧｕａｎｍｉｎＺＨＡＯＪｉａｎｕｎ ｇ ｇ ｇ ｊ （ ， 犕犈犕犛犚犲狊犲犪狉犮犺犔犪犫狅狉犪狋狅狉 犓狌狀犿犻狀 犝狀