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2025年大学《光电信息材料与器件-光电材料实验技术》考试参考题库及答案解析
单位所属部门:________姓名:________考场号:________考生号:________
一、选择题
1.在光电材料实验中,用于测量材料透光率常用的仪器是()
A.光谱仪
B.光电二极管
C.透镜
D.滤光片
答案:A
解析:光谱仪是专门用于测量材料在不同波长下透光率或反射率的仪器,能够提供材料的光学特性数据。光电二极管主要用于接收光信号,透镜用于聚焦或散焦光线,滤光片用于选择特定波长的光线,它们都不是专门用于测量透光率的仪器。
2.下列哪种方法不适合用于制备薄膜材料()
A.溅射沉积
B.溅射镀膜
C.化学气相沉积
D.真空蒸发
答案:B
解析:溅射沉积和溅射镀膜实际上是同一种方法,都是利用高能粒子轰击靶材,使靶材原子或分子溅射出来沉积到基板上。化学气相沉积和真空蒸发都是常用的薄膜制备方法。因此,溅射镀膜不是一种独立于溅射沉积的方法,选项B不正确。
3.在光电材料实验中,用于表征材料晶体结构的方法是()
A.X射线衍射
B.光谱分析
C.热重分析
D.比表面积测定
答案:A
解析:X射线衍射是表征材料晶体结构的主要方法,通过分析X射线与晶体相互作用产生的衍射图谱,可以获得材料的晶格参数、晶胞结构等信息。光谱分析主要用于研究材料的光学特性,热重分析用于研究材料的热稳定性和相变行为,比表面积测定用于测量材料的比表面积,它们都不是主要用于表征晶体结构的方法。
4.下列哪种材料属于宽带隙半导体()
A.硅
B.锗
C.碲
D.硫化镉
答案:D
解析:宽带隙半导体是指其带隙宽度较大的半导体材料,通常具有高熔点、高电阻率、化学稳定性好等特点。硅和锗是典型的窄带隙半导体,碲是窄带隙半导体或准金属,而硫化镉属于宽带隙半导体,其带隙宽度约为2.42电子伏特。
5.在光电材料实验中,用于测量材料电阻率的仪器是()
A.万用表
B.电阻箱
C.电流表
D.电压表
答案:A
解析:万用表是常用的测量仪器,可以测量电阻、电压、电流等多种电学量。在测量材料电阻率时,通常使用万用表的电阻档位,通过测量材料两端的电阻值和材料的几何尺寸,可以计算出材料的电阻率。电阻箱主要用于提供精确的电阻值,电流表和电压表分别用于测量电流和电压,它们不是直接用于测量电阻率的仪器。
6.下列哪种方法不适合用于表征材料的表面形貌()
A.扫描电子显微镜
B.透射电子显微镜
C.原子力显微镜
D.光学显微镜
答案:B
解析:扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和光学显微镜都是常用的表征材料表面形貌的仪器。透射电子显微镜(TEM)主要用于观察材料的微观结构和晶体缺陷,它不是主要用于表征表面形貌的仪器,因此选项B不正确。
7.在光电材料实验中,用于制备纳米材料常用的方法是()
A.溅射沉积
B.溅射镀膜
C.化学气相沉积
D.溅射刻蚀
答案:C
解析:化学气相沉积(CVD)是制备纳米材料常用的方法之一,通过控制反应气体和温度等条件,可以在基板上沉积出纳米尺寸的薄膜或晶体。溅射沉积和溅射镀膜主要用于制备微米级或亚微米级的薄膜,溅射刻蚀主要用于刻蚀材料表面,它们不是制备纳米材料常用的方法。
8.下列哪种材料属于绝缘体()
A.铝
B.钠
C.氧化铝
D.碳
答案:C
解析:绝缘体是指其电阻率极高的材料,通常不导电或导电性极差。铝和钠是金属,具有很好的导电性,碳(如石墨)也具有一定的导电性,而氧化铝是一种典型的绝缘体,其电阻率极高,常用于制备绝缘材料。
9.在光电材料实验中,用于测量材料吸收系数的方法是()
A.光谱仪
B.光电二极管
C.透镜
D.滤光片
答案:A
解析:光谱仪是专门用于测量材料在不同波长下光学特性的仪器,包括吸收系数、透光率、反射率等。通过测量材料对光的吸收情况,可以计算出材料的吸收系数。光电二极管主要用于接收光信号,透镜用于聚焦或散焦光线,滤光片用于选择特定波长的光线,它们都不是专门用于测量吸收系数的仪器。
10.下列哪种方法不适合用于制备超晶格材料()
A.分子束外延
B.蒸发沉积
C.溅射沉积
D.化学气相沉积
答案:B
解析:超晶格材料是由两种或多种不同材料交替沉积形成的周期性结构,其制备通常需要精确控制沉积层的厚度和顺序。分子束外延(MBE)、溅射沉积和化学气相沉积(CVD)都是制备超晶格材料的常用方法,而蒸发沉积通常难以精确控制沉积层的厚度和顺序,不适合制备超晶格材料。
11.在光电材料实验中,用于测量材料折射率的仪器是()
A.光谱仪
B.折射计
C.透镜
D.滤光片
答案:B
解析:折射计是专门用于测量材料折射率的仪器,通过测量光线在材料中的折射
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