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2025上海华力集成电路制造有限公司招聘笔试历年参考题库附带答案

单选题

1.集成电路制造中，光刻工艺的主要作用是（）

A.去除晶圆表面杂质

B.在晶圆上定义电路图案

C.提高晶圆的导电性

D.改变晶圆的物理形态

答案：B。光刻工艺是集成电路制造中的关键步骤，其核心作用就是通过光刻胶的曝光和显影，在晶圆上精确地定义出电路图案，为后续的刻蚀、掺杂等工艺奠定基础。选项A去除晶圆表面杂质一般是清洗工艺的作用；选项C提高晶圆导电性通常是掺杂等工艺实现的；选项D改变晶圆物理形态并非光刻的主要功能。

2.以下哪种气体常用于集成电路制造的化学气相沉积（CVD）工艺中（）

A.氧气

B.氮气

C.硅烷

D.氦气

答案：C。硅烷（SiH?）是化学气相沉积（CVD）工艺中常用的硅源气体，在一定条件下分解可以在晶圆表面沉积硅薄膜。氧气常用于氧化工艺；氮气主要用于保护气和载气，但不是CVD沉积薄膜的关键气体；氦气一般用于某些特殊环境的保护或冷却等，并非CVD的主要反应气体。

3.MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）中，控制沟道导通和截止的是（）

A.源极

B.漏极

C.栅极

D.衬底

答案：C。在MOSFET中，栅极电压的变化可以控制沟道中载流子的浓度，从而实现沟道的导通和截止。源极是载流子的注入端，漏极是载流子的收集端，衬底是晶体管制作的基础半导体材料，它们都不直接控制沟道的导通和截止。

4.集成电路制造中的刻蚀工艺可分为干法刻蚀和湿法刻蚀，以下关于干法刻蚀的优点，错误的是（）

A.刻蚀精度高

B.各向异性好

C.污染小

D.刻蚀速率快

答案：D。干法刻蚀具有刻蚀精度高、各向异性好、污染小等优点。但一般来说，湿法刻蚀的刻蚀速率相对较快，干法刻蚀由于其反应机理和工艺特点，刻蚀速率通常比湿法刻蚀慢。

5.在集成电路封装中，QFP（四方扁平封装）属于（）

A.引脚插入式封装

B.表面贴装式封装

C.倒装芯片封装

D.系统级封装

答案：B。QFP是表面贴装式封装的一种，它的引脚从封装体的四个侧面引出，呈鸥翼状，通过表面贴装技术焊接在电路板上。引脚插入式封装的引脚是插入电路板的通孔中；倒装芯片封装是芯片倒扣在基板上；系统级封装是将多个不同功能的芯片集成在一个封装内。

6.半导体材料硅的晶体结构是（）

A.简单立方结构

B.面心立方结构

C.体心立方结构

D.金刚石结构

答案：D。硅具有金刚石结构，这种结构中每个硅原子与四个相邻的硅原子以共价键相连，形成正四面体结构。简单立方结构、面心立方结构和体心立方结构都不符合硅的晶体结构特点。

7.集成电路制造中，用于检测晶圆表面微观缺陷的设备是（）

A.电子显微镜

B.光刻机

C.刻蚀机

D.化学机械抛光机

答案：A。电子显微镜可以提供高分辨率的图像，能够检测晶圆表面的微观缺陷，如划痕、杂质颗粒等。光刻机用于光刻工艺，将电路图案转移到晶圆上；刻蚀机用于刻蚀晶圆上的特定材料；化学机械抛光机用于对晶圆表面进行平坦化处理。

8.以下哪种掺杂元素可以使硅半导体成为N型半导体（）

A.硼

B.磷

C.镓

D.铟

答案：B。在硅半导体中，磷是五价元素，当它作为掺杂元素掺入硅中时，会提供多余的电子，使半导体成为N型半导体。硼、镓、铟都是三价元素，掺入硅中会产生空穴，使半导体成为P型半导体。

9.集成电路设计中的逻辑综合是指（）

A.将行为级描述转换为门级网表

B.将门级网表转换为版图

C.对电路进行功能仿真

D.对电路进行时序分析

答案：A。逻辑综合是集成电路设计流程中的一个重要步骤，它的主要任务是将行为级的硬件描述语言（如Verilog或VHDL）描述转换为门级网表，该网表包含了一系列的逻辑门及其连接关系。将门级网表转换为版图是物理设计阶段的任务；功能仿真是在设计过程中验证电路功能的正确性；时序分析是检查电路的时序是否满足设计要求。

10.在集成电路制造的洁净室中，对于空气洁净度的等级划分通常采用（）

A.ISO标准

B.ASTM标准

C.IEEE标准

D.IEC标准

答案：A。在集成电路制造的洁净室中，通常采用ISO标准来划分空气洁净度等级。ISO14644标准规定了不同洁净度等级下单位体积空气中允许的颗粒数量。ASTM标准主要涉及材料、产品、系统和服务等方面的测试方法和规范；IEEE标准主要针对电气和电子工程领域的技术标准；IEC标准侧重于国际电工领域的标准。

11.以下关于集成电路测试的说法，正确的是（）

A.功能测试只检查电路的逻辑功能是否正确

B.静态测试需要对电路施加动态信号

C.老化测试主要是检测电路的初始性能

D.测试覆盖率越高，测试效果越