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邏輯門電路本章講述分立元件門電路，TTL集成與非門電路，其他雙極型門電路和MOS門電路3.1分立元件門電路3.1.1二極體開關特性○理想開關特性開關斷開時，通過開關的電流為零，其間的電阻為無窮大開關閉合時，其間的電阻為無窮大開關的開閉動作暫態完成○二極體開關特性導通時，矽管正向壓降為0.7V,鍺管正向壓降為0.2V載止時，其飽和電流極小，相當於一個大電阻導通和載止並非瞬間完成*ES+V-RiES+V-Ri(a)(b)D+VD-R(a)i0.7VVDi0(b)二極體的伏安特性tV0D+VD-RiV1V2ti0IfIrVti0IfIrRD=0·二極體開關特性·理想開關特性·二極體的一個重要參數－反向恢復時間(a)(b)(c)(d)*iEVORCECVIRB000VIiCiCVOttttontoffVCEICStd1trtftd290%10%晶體三極管開關特性·晶體三極管的三種工作狀態截止狀態放大狀態飽和狀態·晶體三極管的開關參數*VA(V)VbABREC(+12V)FVB(V)VF(V)0.70.70.73.703030033ABF000101010011ABFVa3.1.3簡單門電路電位關係真值表邏輯符號二極體與門電路*VA(V)(a)VbABRFVB(V)VF(V)0.72.32.32.303030033ABF011101010011ABFVa電位關係真值表邏輯符號二極體或門電路*iEVORC1KEC+12VVIR11.5KEB-12VEQ+2.5VR218Kβ=303.2V0.3VIEVORC1KEC+12VVIR11.5KEB-12VEQ+2.5VR218KRL1RL2ECECIRCILIEVORC1KEC+12VVIR11.5KEB-12VEQ+2.5VR218KIRCILEB-12VRL3.1.3簡單門電路反相器電路灌電流負載方式拉電流負載方式*iEFRCEC+12VR1EB-12VEQ+2.5VR2VbABVaEC+12VPCRC1ABP000101010011F1110ABF3.1.3複合門電路與非門電路的實現*iEFRCEC+12VR1EB-12VEQ+2.5VR2VbABVaPCC1ABP011101010011F1000ABFR或非門電路的實現*3.2TTL集成與非門電路----3.2.1TTL電路結構(Transistor–Transistor-Logic)IE2R2750ECVIAIR2VOBCR13kIB1IB2R5100IE3R3360R43kQ1Q2Q3Q5Q4圖3.2.1TTL與非門電路Q1:多發射極三極管ABC相當於多個二極體電路構成分析·多發射極輸入(Q1與R1為輸入級，完成與功能)·Q2,R2,R3為中間級，完成對輸出級的驅動(Q2截止時；Q3,Q4導通，Q5截止Q2導通時；Q3,Q4截止，Q5導通)·Q3,Q4,Q5,R4,R5為輸出級(Q3,Q4為Q5的有源負載)·EC增大有助於可靠性的提高，但功耗也增大，通常TTL電路的工作電壓為5V(EC增大，“1”電平的電壓範圍與“0”電平的電壓範圍的距離增大，抗干擾能力強，可靠性提高)*3.2TTL集成與非門電路----3.2.2TTL電路的工作原理__高電平輸入時的分析IE2R2750ECAIR2VOBCR13k