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注意，PNP型和NPN型三极管表示符号的区别是发射极的箭头方向不同，这个箭头方向表示发射结加正向偏置时的电流方向。使用中要注意电源的极性，确保发射结永远加正向偏置电压，三极管才能正常工作。三极管根据基片的材料不同，分为锗管和硅管两大类，目前国内生产的硅管多为NPN型（3D系列），锗管多为PNP型（3A系列）；从频率特性分，可分为高频管和低频管；从功率大小分，可分为大功率管、中功率管和小功率管，等等。实际应用中采用NPN型三极管较多，所以下面以NPN型三极管为例加以讨论，所得结论对于PNP三极管同样适用。返回*第62页，共91页，星期日，2025年，2月5日ICmA?AVVUCEUBERBIBECEB1、一个实验二晶体管的电流放大作用BECmA*第63页，共91页，星期日，2025年，2月5日结论:1.IE=IC+IB3.要使晶体管放大,发射结必须正偏,集电结必须反偏。*第64页，共91页，星期日，2025年，2月5日PN结的形成在同一片半导体基片上，分别制造P型半导体和N型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN结。*第30页，共91页，星期日，2025年，2月5日P型半导体－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－N型半导体++++++++++++++++++++++++扩散运动(浓度差产生)内电场E漂移运动（电场力作用）扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽。内电场越强，漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。空间电荷区，也称耗尽层。*第31页，共91页，星期日，2025年，2月5日漂移运动P型半导体－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－N型半导体++++++++++++++++++++++++扩散运动内电场E所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡，相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚度固定不变。*第32页，共91页，星期日，2025年，2月5日－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－++++++++++++++++++++++++空间电荷区N型区P型区电位VV0*第33页，共91页，星期日，2025年，2月5日1.空间电荷区中没有载流子。2.空间电荷区中内电场阻碍P区中的空穴.N区中的电子（都是多子）向对方运动（扩散运动）。3.P区中的电子和N区中的空穴（都是少），数量有限，因此由它们形成的电流很小。小结返回*第34页，共91页，星期日，2025年，2月5日(1)加正向电压（正偏）——电源正极接P区，负极接N区外电场的方向与内电场方向相反。外电场削弱内电场→耗尽层变窄→扩散运动＞漂移运动→多子扩散形成正向电流IF正向电流PN结的单向导电性*第35页，共91页，星期日，2025年，2月5日(2)加反向电压——电源正极接N区，负极接P区外电场的方向与内电场方向相同。外电场加强内电场→耗尽层变宽→漂移运动＞扩散运动→少子漂移形成反向电流IRPN在一定的温度下，由本征激发产生的少子浓度是一定的，故IR基本上与外加反压的大小无关，所以称为反向饱和电流。但IR与温度有关。*第36页，共91页，星期日，2025年，2月5日PN结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻，PN结导通；PN结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻，PN结截止。由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。返回*第37页，共91页，星期日，2025年，2月5日

3、PN结的伏安特性*第38页，共91页，星期日，2025年，2月5日1.2半导体二极管1、基本结构PN结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。引线外壳线触丝线基片点接触型PN结面接触型PN二极管的电路符号：阳极+阴极-*第39页，共91页，星期日，2025年，2月5日2、伏安特性UI死区电压(开启电压)硅管0.5V,锗管0.1V。导通压降:硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。反向击穿电压UBR反向击穿电流Is*第40页，共91页，星