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s=0,Igmax=π2t2/ζg利用(4-5)和上图,可以定性的解释倒易阵点在晶体尺寸最小方向上的扩展.当只考虑到衍射强度主极大值的衰减周期(-1/t~1/t)时,倒易阵点的扩展范围即2/t大致相当于强度峰值包括线的半高宽Δs,与晶体的厚度成反比.这就是通常晶向发生衍射所能允许的最大偏离范围(︱s︱1/t)运动学理论关于衍射强度随晶体位向变化的结果,在实验上也得到证明,那就是弹性形变的薄膜晶体所产生的弯曲消光条纹如下图,第31页,共68页,星期日,2025年,2月5日如果o处θ=θB,s=0在其两侧晶面向相反方向发生转动,s的符号相反,且离开o点的距离愈大,则︱s︱愈大,所以在衍衬图象中对应于s=0的Igmax亮线(暗场)或暗线(明场)两侧,还有亮,暗相间的条纹出现,(因为峰值强度迅速减弱,条纹数目不会很多),同一亮线或暗线所对应的样品位置,晶面具有相同的位向(s相同),所以这种衬度特征也叫做等倾条纹.如果倾动样品面,样品上相应于s=0的位置将发生变化,消光条纹的位置将跟着改变,第32页,共68页,星期日,2025年,2月5日在荧光屏上大幅度扫动.等厚消光条纹则不随晶体样品倾转面扫动,这是区分等厚条纹与等倾条纹的简单方法(参看照片).3.消光距离从(4-3),(4-4)中得到消光距离为ζg=πVccosθ/λFg(4-6)由于电子衍射θ很小,cosθ≈1,所以ζg=πVc/λFg根据式(4-4)ID=π2sin2(πst)/ζg(πs)2强度公式可知,暗场向的衍射强度是晶体厚度t和偏离参量s的正弦周期函数.第33页,共68页,星期日,2025年,2月5日当一束平行电子波进入晶体试样时,开始透射波强度(Io-Ig)极大,衍射波Ig为0,所以开始时透射波强度等于Io(入射波强度).随着入射晶体深度的增加,透射波减弱,衍射波逐渐增大,达到一定深度时Ig=Igmax,随着深入厚度的增加,强度最大和最小发生周期性交错变化,或周期性振荡,显然当衍射波强度为0时,可以认为时消光的,因此,两衍射波强度为0之间的距离称为消光距离.如上图.不同加速电压(λ),不同晶体(Vc),不同晶面(Fg),ζg也不同.第34页,共68页,星期日,2025年,2月5日二.衍射强度的振幅—位相图解法处理相干散射波的合成波振幅除了使用前述的计算方法外,还可以应用矢量图方法,这种方法称为振幅--位相图解法.由(4-3)可改写成:φg=∑iπ/ξg?e-2πiszdz.在深度为Z处的散射波相对于样品上表面原子层散射波的位相角α=2πsz(前述),该深度处厚度元dz的散射波振幅dφg.φg=∑dφge-iπ=∑dφge-2πisz第35页,共68页,星期日,2025年,2月5日第36页,共68页,星期日,2025年,2月5日比较上二式,考虑到π和ξg都是常数,所以,dφg=iπdz/ξg∝dz如果取所有的dz都是相等的厚度元,则暂不考虑比例常数(iπ/ξg)而把c作为一个厚度元dz的散射振幅,而逐个厚度元的散射元之间相对位相角差为dα=2πsdz,于是,在t=Ndz处的合成振A(NC),用A-α圆来表示的话,就是右图中的︱OP︱,考虑到dz很小,A-α圆就是一个半径R=1/2πs的圆周.此时,晶体内深度为t处的合成振幅:A(t)=sin(πts)/πs相当于从o点(晶体上表面)顺圆周方向长度为t的弧度所张的弦︱OP︱.显然,该圆周的长度等于1/s,就是衍射振幅或强度振荡的深度周期tg第37页,共68页,星期日,2025年,2月5日而圆的直径oθ所对的弧长为1/2s=tg/2,此时衍射振幅为最大.随着电子波在晶体内的传布,即随着t的增大,合成振幅op的端点p在圆周上不断运动,每转一周相当于一个深度周期tg。同时衍射波的合成振幅φg(∝A)从零变为最大又变为零,强度Ig(∝︱φg︱2∝A2)发生周期性振荡.第38页,共68页,星期日,2025年,2月5日第五节不完整晶体衍衬象运动学解释一.不完整晶体及其对衍射强度的影响上一节讨论了完整晶体的衍衬象,认为晶体时理想的,无缺陷的。但在实际中,由于熔炼,加
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