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重复过流冲击下IGBT性能退化的在线监测技术研究
一、引言
1.1研究背景与意义
在现代电力电子系统中,绝缘栅双极晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor,IGBT)作为核心功率器件,扮演着举足轻重的角色。IGBT融合了双极型晶体管(BipolarJunctionTransistor,BJT)和绝缘栅型场效应管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET)的优势,具备高电压承受能力、大电流处理能力、低导通压降以及快速开关速度等特性,被广泛应用于新能源发电、智能电网、轨道交通、电动汽
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