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重复过流冲击下IGBT性能退化的在线监测技术研究.docx

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    重复过流冲击下IGBT性能退化的在线监测技术研究

    一、引言

    1.1研究背景与意义

    在现代电力电子系统中，绝缘栅双极晶体管（InsulatedGateBipolarTransistor，IGBT）作为核心功率器件，扮演着举足轻重的角色。IGBT融合了双极型晶体管（BipolarJunctionTransistor，BJT）和绝缘栅型场效应管（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，MOSFET）的优势，具备高电压承受能力、大电流处理能力、低导通压降以及快速开关速度等特性，被广泛应用于新能源发电、智能电网、轨道交通、电动汽

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