磁饱和式可控电抗器损耗温升与磁饱和度关系研究.docxVIP

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2025-07-22 发布于北京
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磁饱和式可控电抗器损耗温升与磁饱和度关系研究.docx

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磁饱和式可控电抗器损耗温升与磁饱和度关系研究

一、引言

磁饱和式可控电抗器（MagneticallySaturatedControllableReactor，简称MSCR）是一种重要的电力设备，广泛应用于电力系统中的无功功率补偿和谐波抑制。其核心工作原理是利用磁饱和现象来调节电抗值，因此其损耗和温升问题与其磁饱和度关系密切。本文将详细探讨磁饱和式可控电抗器的损耗温升与磁饱和度的关系，分析其对电抗器性能的影响，并寻求优化措施。

二、磁饱和式可控电抗器的工作原理及特点

磁饱和式可控电抗器主要由铁芯、绕组和控制系统等部分组成。通过控制流过绕组的电流，改变铁芯的磁通量，从而达到调节电抗值的目的。