电致发光显示器.pptVIP

2009.8.56.6ELD的制作工艺制备工艺较简单，结构很像一个能发光的平行板电容器。两个平行板电极中至少有一个是透明导电膜电极，另一个是金属电极，两电极之间有一层发光层和绝缘反光层，电极上引出引线，最后涂敷防潮树脂，加防潮盖玻璃就制成了发光屏。这里介绍几种典型制作工艺。一、分散交流型ELD屏的制作分散交流型ELD中有无机型ELD(搪瓷屏和玻璃基板型显示屏)和有机ELD(有机胶片软屏)。1．分散交流型(玻璃基板屏)ELD的制作工艺流程如下：导电玻璃----发光层----TiO2反光耐压层----背面铝电极----电极引线----涂防潮树脂加盖防潮玻璃。第63页，共95页，星期日，2025年，2月5日2009.8.5发光层制备：常用丝网印制方法和喷涂法。前者与制作印制电路板的丝网印制方法相类似，是将发光粉与有机介质粘合剂按比例混合成膏状，用丝网印制制作发光层，制作时车间环境温度为30℃，相对湿度＜50％。喷涂法是将有机介质用喷枪均匀地喷涂到导电玻璃上，然后用毛刷将发光粉均匀致密地刷于介质层上。为了减少针孔一般喷刷两层，尽可能使发光粉层平整、均匀、无针孔。TiO2反光耐压层的制作：与发光层制作方法相同，耐压层制作后120℃烤箱中烘烤4～6h进行固化处理。金属铝膜使用真空蒸镀方法制作。第64页，共95页，星期日，2025年，2月5日2009.8.52．有机胶片型分散交流ELD屏的制作它适用于作为液晶显示屏(LCD)的背光源，其制作工艺流程如图6.18。第65页，共95页，星期日，2025年，2月5日2009.8.5发光层、绝缘层都用厚膜印制工艺，也可用丝网印制或刮屏的印制法进行涂膜。背电极使用铝箔，可用低温磁控溅射法在绝缘层上制作铝电极。还可直接购买带有导电膜的聚脂胶片作为基板依次进行发光层、绝缘层、溅射背面电极铝、切片、塑料薄膜封装、老化、检验等工艺来制作ELD。第66页，共95页，星期日，2025年，2月5日2009.8.5三、分散直流型ELD的制作与分散交流型ELD屏制作方法基本相类似。但需要进行“热成形”处理，才能获得良好的电致发光。四、薄膜交流型ELD的制作介绍x-y矩阵驱动薄膜交流型二重绝缘层结构ELD的制作工艺，制作工艺流程如图6.19。可看出薄膜ELD的性能在某种意义上起重要作用的是成膜技术。发光层膜、绝缘膜、透明电极膜、背电极铝膜共有四种薄膜，再加上材料在内有必要进行优化设计。第67页，共95页，星期日，2025年，2月5日2009.8.56.4薄膜型(TFELD)薄膜型交流电致发光(AC-TPELD)的优点是：①发光效率高，②对比度高，③寿命长，④阈值陡，⑤分辨力高，⑥有灰度。⑦环境性能好。⑧有存储记忆功能。⑨视角大主动式发光。不足之处是：①驱动电压高，②负载电容大。③驱动电路昂贵。④大面积、高密度面板的RC(线电阻×单元电容)大，使脉冲延时、波形改变、有效电压下降。⑤蓝色光ELD的亮度及发光效率低，难实现全色化。⑥实现大面积、无缺陷、均匀薄膜的工艺要求高。⑦车间的超净度要求高。⑧成本高。第31页，共95页，星期日，2025年，2月5日2009.8.51、Ball薄膜交流型ELD结构与机理：1986年美国贝尔实验室制作出薄膜EL器件由美国Ball所提出的，称做“LUMOCEN”器件，即分子发光中心，---是在发光的母体材料ZnS中添加稀土卤化合物分子(TbF3)作为发光中心的器件。图为具有代表性的LUMOCKN型器件结构图LUMOCKN型器件结构（4-绝缘层）第32页，共95页，星期日，2025年，2月5日2009.8.5现在的ACTFEL一般采用双绝缘层ZnS：Mn薄膜结构。器件由三层组成，发光层夹在两绝缘层间，起消除漏电流与避免击穿的作用。掺不同杂质则发不同的光，其中以掺Mn效率最高，加200V、5000Hz电压时，亮度达5000cd/m×m。ACTFEL具有记忆特性：给之加一系列脉冲电压，若下一个脉冲与上一个脉冲同方向，则发光亮度明显减小；若下一脉冲与上一脉冲反方向，则发光连读明显增加。利用记忆效应可以制成有灰度级的记忆板。第33页，共95页，星期日，2025年，2月5日2009.8.5工艺：----在玻璃基板上蒸发厚度200nmSnO2透明导电膜电极，绝缘层用电介质300nm厚HfO2膜，发光层用厚300nm添加稀土卤化合物(TbF3等)的ZnS材料，用蒸发技术依次制备各层薄膜。背面电极用平行的条形背电极铝。机理